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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>磁控濺射鍍膜儀>>CY-MSP500S-2DC-1RF三靶向上磁控濺射鍍膜儀

三靶向上磁控濺射鍍膜儀

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  • 三靶向上磁控濺射鍍膜儀

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  • 型號(hào) CY-MSP500S-2DC-1RF
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  • 廠商性質(zhì) 其他
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更新時(shí)間:2023-05-09 08:23:41瀏覽次數(shù):616

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)單介紹: 三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學(xué)薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等

詳細(xì)介紹

詳情介紹:

三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的高性價(jià)比磁控濺鍍?cè)O(shè)備,具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、定制化的特點(diǎn)。該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學(xué)薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等,三種靶材可以滿足多層或多層涂層的需要。與同類設(shè)備相比,三靶磁控濺射鍍膜儀不僅應(yīng)用廣泛,而且具有體積小、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。它是實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

三靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):

三靶磁控濺射鍍膜機(jī)(直流電源+射頻電源)

樣品臺(tái)

濺射模式

濺射方向向上,樣品臺(tái)位于濺射靶上方;

中心頂部設(shè)置樣品架,帶一個(gè)擋板;

樣品臺(tái)

φ150mm

控制精度

±1℃

加熱范圍

室溫~500℃

可調(diào)轉(zhuǎn)速

1-20rpm可調(diào)

靶基距離可調(diào)

靶材和襯底之間的距離可以電動(dòng)調(diào)節(jié)

 

 

磁控靶槍

靶面

圓形平面靶

濺射真空

10Pa~0.2Pa

靶材直徑

50~50.8mm

靶材厚度

2~5mm

注:如果靶是磁性材料(如Fe、Co、Ni),厚度不能超過(guò)1.5mm,需要強(qiáng)磁濺射靶槍,需要額外采購(gòu)。

絕緣電壓

>2000V

數(shù)量

2 英寸*3;每個(gè)濺射靶槍上都有擋板

電纜規(guī)格

SL-16

靶頭溫度

≤65℃

 

真空腔體

內(nèi)壁處理

 

電解拋光

腔體尺寸

φ300mm × 350mm

腔體材料

304 不銹鋼

觀察窗口

石英窗,直徑φ100mm,帶擋板

密封方法

氟橡膠密封

打開方式

頂部開口,氣缸輔助支架

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

氣體控制系統(tǒng)

流量控制

三通道質(zhì)量流量計(jì):

 

氧氣:范圍0~100SCCM

氬氣:范圍0~200SCCM

氮?dú)猓悍秶?/span>0~500SCCM

(注意:為了實(shí)現(xiàn)更高的無(wú)氧環(huán)境,必須用高純度惰性氣體清潔真空室至少3次。)

氣體類型

氬氣、氮?dú)?、氧氣和其他惰性氣體

控制閥類型

電磁閥

控制閥靜態(tài)

常閉

測(cè)量線性度

±1.5% F.S

測(cè)量重復(fù)性

±0.2% F.S

測(cè)量響應(yīng)時(shí)間

≤8 seconds(T95)

工作壓力范圍

0.3MPa

閥體壓力

3MPa

工作溫度

(5~45)℃

閥體材料

不銹鋼 316L

閥體泄漏率

1×10-8Pa.m3/s

管道接頭

1/4″壓縮接頭

輸入和輸出信號(hào)

0~5V

電源

±15V(±5%)(+15V  50mA,  -15V 200mA)

外形尺寸(mm)

130 (寬) × 102 (高) × 28 (厚)

通信接口Interface

RS485 MODBUS 協(xié)議

直流電源

電源

500W

輸出電壓

0~600V

*大輸出電流

1A

正時(shí)長(zhǎng)度

65000 S

開始時(shí)間

1~10 S

數(shù)量

2臺(tái)

射頻電源

電源

500W

功率輸出范圍

0W-500W, 帶自動(dòng)匹配

*大反射功率

100W

RF頻率

13.56MHz+/-0.005% 穩(wěn)定性

電源穩(wěn)定性

≤5W

諧波分量

小于 -50dbc

數(shù)量

1臺(tái)

整體的極限真空

≦5×10-5Pa

真空室增壓率

≦2.5Pa/h



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