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CY-MSP500S-DCRF-RE往復樣品臺型雙靶磁控濺射鍍膜儀(直流+射頻)雙靶磁控濺射鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的實驗室專用鍍膜儀,設備配有一臺直流電源,一臺射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜等。
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點,鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時間穩(wěn)定工作。本型號樣品臺采用往復式設計,左側(cè)配有磁力耦合推桿,可將樣品臺左右推動。整機均采用觸控屏控制,內(nèi)置一鍵式鍍膜程序,操作簡單易上手,是實驗室制備薄膜的理想設備
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點,鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時間穩(wěn)定工作。本型號樣品臺采用往復式設計,左側(cè)配有磁力耦合推桿,可將樣品臺左右推動。整機均采用觸控屏控制,內(nèi)置一鍵式鍍膜程序,操作簡單易上手,是實驗室制備薄膜的理想設備
| 名稱 | 往復樣品臺型雙靶磁控濺射鍍膜儀(直流+射頻) |
| 型號 | CY-MSP500S-DCRF-RE |
| 特點 | 1.能量高速度快 2.磁控靶配有水冷夾層避免熱量在靶面聚集 4.采用單靶獨立、多靶輪流或組合共濺,向心濺射 |
| 技術(shù)參數(shù) | 1. 供電電壓 AC220V,50Hz 2. 整機功率 6KW |
| 規(guī)格 | 整機尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm 整機重量 350kg |
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