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  • 型號 CY-MSP500S-DCRF-RE
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更新時間:2023-02-15 11:56:51瀏覽次數(shù):414

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹: ?雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(往復樣品臺)配有一臺直流電源,一臺射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜等往復式設計,?雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(往復樣品臺)的樣品臺采用往復式設計,左側(cè)配有磁力耦合推桿,可將樣品臺左右推動。

詳細介紹

詳情介紹:
CY-MSP500S-DCRF-RE往復樣品臺型雙靶磁控濺射鍍膜儀(直流+射頻)雙靶磁控濺射鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的實驗室專用鍍膜儀,設備配有一臺直流電源,一臺射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜等。
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點,鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時間穩(wěn)定工作。本型號樣品臺采用往復式設計,左側(cè)配有磁力耦合推桿,可將樣品臺左右推動。整機均采用觸控屏控制,內(nèi)置一鍵式鍍膜程序,操作簡單易上手,是實驗室制備薄膜的理想設備


名稱

往復樣品臺型雙靶磁控濺射鍍膜儀(直流+射頻)
型號
CY-MSP500S-DCRF-RE
特點
1.能量高速度快
2.磁控靶配有水冷夾層避免熱量在靶面聚集
3.樣品臺采用往復式設計,左側(cè)配有磁力耦合推桿,可將樣品臺左右推動
4.采用單靶獨立、多靶輪流或組合共濺,向心濺射
5.PC+PLC全自動控制
技術(shù)參數(shù)
1.  供電電壓 AC220V,50Hz
2.  整機功率 6KW
3.  極限真空度 5x10-4Pa
4.  載樣臺參數(shù) 
     尺寸 100*100mm;往復行程200mm
5.  磁控濺射頭參數(shù) 
     數(shù)量 2個2"磁控濺射頭;冷卻方式  10L/min流速的循環(huán)水冷機
6.  真空腔體 
     尺寸 φ500mm X 490mm H; 材料 不銹鋼; 觀察窗口 φ100mm;上頂開式,便于更換靶材
7.  氣體流量控制器 1路200sccm Ar; 
8.  真空泵 配有一套分子泵系統(tǒng),抽速600L/S
9.  膜厚儀 石英振動薄膜測厚儀一臺,分辨率0.10 ?
10. 濺射電源(1DC 1RF)
     直流電源,500W,適用于制備金屬膜
     射頻電源,500W,適用于非金屬鍍膜
11. 操作方式 一體機電腦操作
規(guī)格
整機尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm
整機重量 350kg



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