真空室

圓筒型前開(kāi)門結(jié)構(gòu)，尺寸?450×40mm

真空系統(tǒng)配置

復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、氣動(dòng)閘板閥、進(jìn)口SMC氣缸節(jié)流閥

極限壓力

≤6.6 *10^-6 Pa。（經(jīng)烘烤除氣后）

恢復(fù)真空時(shí)間

25 分鐘可達(dá)到≤6.6×10^-6 Pa。（短時(shí)間撰茲大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）

磁控靶組件

永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；每個(gè)靶配進(jìn)口 SMC 旋轉(zhuǎn)氣動(dòng)擋板

單基片加熱臺(tái)

樣品尺寸

?4英寸

運(yùn)動(dòng)方式

基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 0－30 轉(zhuǎn)/分

加熱

進(jìn)口加熱絲加熱，高加熱溫度 600℃ ±1℃

擋板形式

進(jìn)口 SMC 轉(zhuǎn)角氣缸控制

氣路系統(tǒng)

質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

采用 PLC ＋工控機(jī)＋觸摸屏全自動(dòng)控制方式

可選配件

膜厚儀、氣泵、水冷循環(huán)機(jī)

設(shè)備占地面積

主機(jī)

I000×1800mm²

電控柜

900×600mm²