真空室

圓型真空室，尺寸? 450×50mm

真空系統(tǒng)配置

復合分子泵、機械泵、閘板閥

極限壓力

≦6.67*10^-5 Pa （經烘烤除氣后）

恢復真空時間

40 分鐘可達到6 .6*10^-4 Pa 。（系統(tǒng)短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）

磁控靶組件

永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調；當直接向上濺射時，靶與樣品距離40~80mm可調

基片水冷加熱公轉臺

基片結構

基片加熱與水冷獨立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺

樣品尺寸

?30mm

運動方式

基片可連續(xù)回轉，轉速 5~10 轉／分

加熱

基片加熱*高溫度600℃±1℃

基片負偏壓

－200V

氣路系統(tǒng)

質 量 流 量 控制器 2 路

計算機控制系統(tǒng)

控制樣品轉動，擋板開關，靶位確認等

可選配件6工位基片加熱公轉臺

拆下單基片水冷加熱臺可以換上該轉臺?？赏瑫r放置6片30mm的基片；6個工位中，其中一個工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃

設備占地面積

主機

I300×800mm²

電控柜

70×700m²