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詳細(xì)介紹
詳情介紹：
CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備用途：
用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)濺射，可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝，具備較大尺寸和多種尺寸規(guī)格的晶體硅光伏電池薄膜的連續(xù)制備能力。
CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
型號 | CY-in-line | |
主濺真空室 | 方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm | |
進(jìn)樣室 | 圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 分子泵與機(jī)械泵，閘板閥 | |
極限壓力 | 主濺射室 | ≦8*10-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后） |
進(jìn)樣室 | ≦6.6*10-4Pa（經(jīng)烘烤除氣后） | |
恢復(fù)真空時間 | 主濺射室 | 40分鐘可達(dá)到6.6*10-4Pa（系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） |
進(jìn)樣室 | 40分鐘可達(dá)到6.6*10-3Pa（系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） | |
磁控靶組件 | 矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調(diào)
| |
基片加熱臺 | 基片結(jié)構(gòu) | 尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安裝4片樣品 |
加熱溫度 | 室溫~400Ｃ±2 C，可控可調(diào) | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì)量流量控制器3路 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 2655 * 930mm2 |
電控柜 | 700 *700mm2（兩個） | |
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