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  • 國儀量子鎢燈絲掃描電子顯微鏡SEM3200
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品牌

廠商性質(zhì)

其他

型號(hào)

訪問次數(shù)

150

產(chǎn)地

湖南長沙市

更新時(shí)間

2025/5/12 15:28:48

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產(chǎn)品簡介

簡要說明:多種信息同時(shí)成像背散射電子探測器自動(dòng)聚焦\自動(dòng)消像散\自動(dòng)亮度對比度

國儀量子鎢燈絲掃描電子顯微鏡SEM3200詳細(xì)信息

鎢燈絲掃描電子顯微鏡SEM3200

SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。

大景深,成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性,助您在顯微成像的世界中盡情探索。

產(chǎn)品特點(diǎn)(*為選配件)

 

低電壓

碳材料樣品,低電壓下,穿透深度較小,可以獲取樣品表面真實(shí)形貌,細(xì)節(jié)更豐富。

毛發(fā)樣品,在低電壓下,電子束輻照損傷減小,同時(shí)消除了荷電效應(yīng)。

低真空

過濾纖維管材料,導(dǎo)電性差,在高真空下荷電明顯,在低真空下,無需鍍膜即可實(shí)現(xiàn)對不導(dǎo)電樣品的直接觀察。

大視場

生物樣品,采用大視場觀察,能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié),展現(xiàn)跨尺度分析。

 

導(dǎo)航&防碰撞

光學(xué)導(dǎo)航

想看哪里點(diǎn)哪里,導(dǎo)航更輕松

標(biāo)配倉內(nèi)攝像頭,可拍攝高清樣品臺(tái)照片,快速定位樣品。

手勢快捷導(dǎo)航

可通過雙擊移動(dòng)、鼠標(biāo)中鍵拖動(dòng)、框選放大,進(jìn)行快捷導(dǎo)航

如框選放大:在低倍導(dǎo)航下,獲得樣品的大視野情況,可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域,提高工作效率。

防碰撞技術(shù)

采取多維度的防碰撞方案:

1. 手動(dòng)輸入樣品高度,精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離,防止發(fā)生碰撞;

2. 基于圖像識(shí)別和動(dòng)態(tài)捕捉技術(shù),運(yùn)動(dòng)過程中對倉內(nèi)的畫面進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測;

3. 硬件防碰撞,可在碰撞一瞬間停止電機(jī),減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能)

特色功能

智能輔助消像散

直觀反映整個(gè)視野的像散程度,通過鼠標(biāo)點(diǎn)擊清晰處,可快速調(diào)節(jié)像散至。


自動(dòng)聚焦

一鍵聚焦,快速成像。

自動(dòng)消像散

一鍵消像散,提高工作效率。


自動(dòng)亮度對比度

一鍵自動(dòng)亮度對比度,調(diào)出灰度合適圖像。


多種信息同時(shí)成像

SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像??赏瑫r(shí)觀察到樣品的形貌信息和成分信息。

快速圖像旋轉(zhuǎn)

拖動(dòng)一條線,圖像立刻“擺正角度”。


豐富拓展性

掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察,更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。

SEM3200接口豐富,除支持常規(guī)的二次電子探測器(ETD)、背散射電子探測器(BSED)、X射線能譜儀(EDS)外,也預(yù)留了諸多接口,如電子背散射衍射(EBSD)、陰極射線(CL)等探測器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。


背散射電子探測器

二次電子成像和背散射電子成像對比

背散射電子成像模式下,荷電效應(yīng)明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。

鍍層樣品:

鎢鋼合金樣品:

四分割背散射電子探測器——多通道成像

探測器設(shè)計(jì)精巧,靈敏度高,采用4分割設(shè)計(jì),無需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。

能譜

LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。

電子背散射衍射

鎢燈絲電鏡束流大,滿足高分辨EBSD的測試需求,能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。

該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖,能夠識(shí)別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。

應(yīng)用案例


產(chǎn)品參數(shù)

型號(hào)SEM3200ASEM3200
電子光學(xué)系統(tǒng)電子槍類型預(yù)對中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍
分辨率高真空3 nm @ 30 kV(SE)
4 nm @ 30 kV(BSE)
8 nm @ 3 kV(SE)
*低真空3 nm @ 30 kV(SE)
放大倍率1-300,000x(底片倍率)
1-1000,000x(屏幕倍)
加速電壓0.2 kV~30 kV
成像系統(tǒng)探測器二次電子探測器(ETD)
*背散射電子探測器、*低真空二次電子探測器、*能譜儀EDS等
圖像保存格式TIFF、JPG、BMP、PNG
真空系統(tǒng)真空模式高真空優(yōu)于5×10-4 Pa
*低真空5~1000 Pa
控制方式全自動(dòng)控制
樣品室攝像頭光學(xué)導(dǎo)航
樣品倉內(nèi)監(jiān)控
樣品臺(tái)配置三軸自動(dòng)五軸自動(dòng)
行程X: 120 mmX: 120 mm
Y: 115 mmY: 115 mm
Z: 50 mmZ: 50 mm
/R: 360°
/T: -10°~ +90°
軟件語言中文
操作系統(tǒng)Windows
導(dǎo)航光學(xué)導(dǎo)航、手勢快速導(dǎo)航
自動(dòng)功能自動(dòng)亮度對比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散
特色功能智能輔助消像散、*大圖拼接(選配軟件)
安裝要求房間長 ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm
溫度20 ℃~25 ℃
濕度≤ 50 %
電氣參數(shù)電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA


關(guān)鍵詞:電子顯微鏡 顯微鏡

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