Phenom XL G3 是飛納推出的大倉(cāng)室臺(tái)式掃描電鏡，可用于半導(dǎo)體失效分析場(chǎng)景中的封裝、焊點(diǎn)、線路板和器件表面形貌觀察。

Phenom XL G3 平均成像時(shí)間約 40 秒，可對(duì)最大 100 x 100 mm 的樣品進(jìn)行分析，適合較大尺寸樣品或多樣品檢測(cè)場(chǎng)景。設(shè)備采用 CeB6 燈絲，電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 200,000 X，分辨率優(yōu)于 8 nm，適用于日常質(zhì)檢、研發(fā)分析、失效分析和樣品測(cè)試等應(yīng)用。

該產(chǎn)品具備大倉(cāng)室樣品臺(tái)、低/中/高三種真空模式、背散射探測(cè)器，并可根據(jù)需求選配二次電子探測(cè)器和能譜探測(cè)器。具體配置和價(jià)格根據(jù)型號(hào)、功能及應(yīng)用需求確定，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)/留言入口獲取選型建議，并預(yù)約試樣。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 大倉(cāng)室設(shè)計(jì)，可分析最大 100 x 100 mm 樣品。

2. 平均成像時(shí)間約 40 秒，適合多樣品觀察和日常檢測(cè)。

3. 電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 200,000 X，分辨率優(yōu)于 8 nm。

4. 采用 CeB6 燈絲，使用壽命優(yōu)于 3000 小時(shí)。

5. 支持低、中、高三種真空模式，適合多類材料樣品。

6. 標(biāo)配背散射探測(cè)器，可選配二次電子探測(cè)器和能譜探測(cè)器。

7. 臺(tái)式設(shè)計(jì)，適合實(shí)驗(yàn)室日常部署與使用。

8. 支持選型咨詢，可預(yù)約試樣。

應(yīng)用領(lǐng)域：

可用于半導(dǎo)體失效分析、封裝缺陷觀察、PCB板缺陷分析、電子元器件檢測(cè)和研發(fā)質(zhì)控實(shí)驗(yàn)室。

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品型號(hào)：Phenom XL G3

產(chǎn)品全稱：XL 大倉(cāng)室自動(dòng)化電鏡

產(chǎn)品類型：大倉(cāng)室臺(tái)式掃描電鏡

光學(xué)放大：3 - 19 X

電子光學(xué)放大：200,000 X

分辨率：優(yōu)于 8 nm

電子槍：CeB6 燈絲，使用壽命優(yōu)于 3000 小時(shí)

光學(xué)導(dǎo)航相機(jī)：彩色

平均成像時(shí)間：約 40 秒

最大樣品尺寸：100 x 100 mm

樣品承載：可同時(shí)容納 36 個(gè)樣品

加速電壓：基本模式 2 kV、5 kV、10 kV、15 kV、20 kV

高級(jí)模式：4.8 kV - 20.5 kV 連續(xù)可調(diào)

真空模式：低 / 中 / 高三種模式

探測(cè)器：背散射探測(cè)器

可選探測(cè)器：二次電子探測(cè)器、能譜探測(cè)器

常見(jiàn)問(wèn)題：

1. 這款設(shè)備適合哪些樣品？適合較大尺寸樣品、多樣品檢測(cè)以及常規(guī)材料形貌觀察。

2. 是否可以做元素分析？設(shè)備可根據(jù)需求選配能譜探測(cè)器，用于顆粒、異物或局部區(qū)域的元素分析。

3. 價(jià)格是多少？?jī)r(jià)格根據(jù)設(shè)備配置、探測(cè)器選項(xiàng)、應(yīng)用需求和服務(wù)方案確定，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)入口獲取選型建議，并預(yù)約試樣。

如需了解 Phenom XL G3 在半導(dǎo)體失效分析中的配置方案、應(yīng)用資料或報(bào)價(jià)信息，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)/留言入口提交樣品類型與測(cè)試需求，獲取選型建議，并預(yù)約試樣。