FEI Talos F200系列 場發(fā)射透射電子顯微鏡融合了出色的高分辨率掃描/透射電子顯微鏡 (STEM) 和 TEM 成像功能與行業(yè)的能量色散 X 射線光譜儀 (EDS) 信號檢測功能及基于成分測繪的三維化學表征功能。Talos F200X 可在所有維度 (1D-4D) 下實現(xiàn)zui快速、zui精確的 EDS 分析，以及且支持快速導航的動態(tài)顯微鏡 HRTEM 成像。
FEI Talos F200系列 場發(fā)射透射電子顯微鏡可以實現(xiàn)zui快速、zui準確且量化的多維納米材料表征。 FEI Talos F200S 200 kV STEM 融合了快速、多通道、高分辨率 STEM 成像和精確成分分析，可以支持各種動態(tài)顯微鏡應用。FEI Talos 的創(chuàng)新功能可提高通量、精度與易用性，非常適于學院、政府和工業(yè)研究環(huán)境中的高級研究與分析。
是FEI公司新一代場發(fā)射低溫透射電鏡，配有場發(fā)射電子槍；樣品臺可傾轉(zhuǎn)zui大角度70度； 恒功率模式的物鏡保證成像的高穩(wěn)定性；點分辨率可達0.3nm，信息分辨極限可達0.15nm。
基本參數(shù)
Talos F200S
總束電流：>150nA
探針電流：1nA@1nm探針（200 kV）
EDS系統(tǒng)：2 SDD無窗設計，shutter保護
能量分辨率：≤136 eV，對Mn-Kalpha和10kcps（輸出）
快速EDS：像素駐留時間低至10 us
Talos F200X
明場X-FEG：1.8×109 A/cm2 srad（@200kV）
總束電流：>50nA
探針電流：2nA@1nm探針（200 kV）；0.4 nA@0.31nm探針
EDS系統(tǒng)：2 SDD無窗設計，shutter保護
能量分辨率：≤136 eV，對Mn-Kalpha和10kcps（輸出）
快速EDS：像素駐留時間低至10 us 除了這些基本特性外，本中心的Talos還裝備：
1 Ceta 4K*4K 相機； 
2 用于STEM模式的環(huán)形暗場探頭（HAADF）以及BF/DF探頭； 
3 Gatan 626冷凍傳輸樣品桿，單傾樣品桿以及三維重構(gòu)樣品桿； 
4 單顆粒技術(shù)自動化數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)EPU和電子斷層掃描技術(shù)自動化數(shù)據(jù)收集軟件Xplore3D。 
Talos可以滿足冷凍單顆粒技術(shù)、冷凍電子斷層掃描技術(shù)、STEM電子斷層掃描技術(shù)的數(shù)據(jù)收集需求，如： 
1. 進行液氮溫度的冷凍樣品數(shù)據(jù)收集； 
2. 可進行單顆粒樣品數(shù)據(jù)收集；