用于光學薄膜及電極膜等各種薄膜形成的電子束蒸鍍用電子槍/電源。

電子束蒸鍍法的特征

用電子束直接照射鍍膜材料進行加熱，因此熱效率高，能蒸發(fā)高熔點金屬、氧化物、化合物、升華性物質等各種材料。

鍍膜材料在水冷銅坩堝內(*)被直接加熱，因此不會象電阻加熱式或感應加熱式那樣與坩堝發(fā)生反應。
*可能需要使用坩堝內襯。

能迅速控制輸出，因而能精確地控制膜厚。

與濺射法及 CVD 法相比，能快速鍍膜是一大特征。
對形成1µm 以上的厚膜也很有效。

日本電子制造的電子槍/電源的特征

[ 氧化物 ]

電子束垂直照射鍍膜材料，束斑近似圓形，具有能量密度高的特征。此外，由于標準配備了快速掃描功能，非常適合蒸鍍融點高、熱傳導性低的氧化物及升華性材料，能獲得良好的熔痕，大面積的鍍膜區(qū)域上膜厚分布均勻，重現(xiàn)性好。

[ 金屬 ]

坩堝的選擇范圍很大，能進行多種、大量、高速率的蒸鍍，還有用來抑制成膜時溫度上升的剝離工藝用電子槍。

[ 合金復合膜 ]

往臨近的兩個或三個坩堝內充填不同的材料，使用專用的掃描控制器進行雙源或三源蒸發(fā)，可以形成合金膜和復合膜。

• *1: EB電源輸出功率為16kW，實際能使用的輸出功率為16kW。

• *2: 可以定制　?12cc×4 或6個 等

• *3: 坩堝小凹孔的形狀可以改變　? 28cc（φ45×20h）×6個， 51cc（φ60×20h）×3個等。

• *4: 可以定制　?40cc（φ50×25h）×4或6個， 114cc（φ75×30h）×1個等

• *5: 可以定制　?114cc（φ75×30h）×1個， φ34×20h×3個小凹穴（同時蒸鍍用）， φ70×30h×4個 等

• 關于坩堝規(guī)格請另行咨詢。