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JEM-3200FS場發(fā)射電子顯微鏡配備了加速電壓為300kV的場發(fā)射電子槍（FEG）和鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器，能為廣泛的研究領(lǐng)域提供各種全新的解決方案。
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器(omega 過濾器)
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過濾器內(nèi)置于成像透鏡系統(tǒng)，能容易地獲得能量過濾像和能量損失譜，同時還能獲得與傳統(tǒng)電子顯微鏡同等的放大倍率范圍。此外、Ω型過濾器的電子光學(xué)系統(tǒng)在設(shè)計上地減少了圖像畸變，出廠前還將剩余一點的畸變做了最后的修正。JEM-3200FS還采用了高靈敏度的相機系統(tǒng)及圖像處理系統(tǒng)（選配件），可以構(gòu)建元素面分布系統(tǒng)及能量損失譜系統(tǒng)。
新型控制系統(tǒng)
電子槍、電子光學(xué)系統(tǒng)、測角臺、抽真空系統(tǒng)等電子顯微鏡基本功能的系統(tǒng)化，實現(xiàn)了高穩(wěn)定、高性能的控制系統(tǒng)。圖像畫面和用戶界面采用Windows ®*1，可以進行編程操作和附件的集中控制。
新型測角臺
系統(tǒng)化的新型測角臺內(nèi)置壓電陶瓷驅(qū)動機構(gòu)，使高倍率下的樣品移動更加精確。*2.
*1 : 注意事項：Windows是微軟公司在美國和其他國家的注冊商標。
*2 : 僅有壓電元件包括在基本單元中，壓電元件的電源為選配件。

物鏡極靴^*1	超高分辨UHR	高分辨率HR	高傾斜HT	高襯度HC
分辨率
點分辨率晶格分辨率	0.17nm 0.1nm	0.19nm 0.1nm	0.21nm 0.1nm	0.26nm 0.14nm
能量分辨率	0.9 eV（零損失FWHM）
加速電壓	300kV，200kV,100kV^*2
最小步長　能量位移	100V 3,000V (以0.2V為步長)
電子槍
發(fā)射體	ZrO/W(100) 肖特基式
亮度	≧7×10⁸ A/cm² ? sr
真空度	3×10^-8Pa
探針電流	探針直徑為1nm時，電流在0.5nA以上
穩(wěn)定度
加速電壓	2×10^-6/min
物鏡電流	1×10^-6/min
過濾器透鏡電流	1×10^-6/min
物鏡
焦距	2.7 mm	3.0 mm	3.5 mm	3.9 mm
球差系數(shù)	0.6 mm	1.1 mm	1.4 mm	3.2 mm
色差系數(shù)	1.5 mm	1.8 mm	2.2 mm	3.0 mm
最小焦距步長	1.0 nm	1.4 nm	1.5 nm	4.1 nm
束斑尺寸
TEM 模式	2 ～ 5 nmφ		2 ～ 5 nmφ	7 ～ 30 nmφ
EDS 模式	0.4 ～ 1.6 nmφ		0.5 ～ 2.4 nmφ	4 ～ 20 nmφ
NBD 模式	0.4 ～ 1.6 nmφ		0.5 ～ 2.4 nmφ	-
CBD 模式	0.4 ～ 1.6 nmφ		0.5 ～ 2.4 nmφ	-
電子束衍射
衍射角(2α)	1.5 t～ 20 mrad			-
取出角	±10 °			-
倍率
MAG 模式	×2,500 ～ 1,500,000		×2,000 ～ 1,200,000	×1,500 ～ 1,200,000
LOW MAG 模式	×100 ～ 3,000
SA MAG 模式	×8,000 ～ 600,000		×6,000 ～ 500,000	×5,000 ～ 500,000
視野	10eV時狹縫寬度60mm(底片上) 2eV時狹縫寬度25mm(底片上)
相機長度
選區(qū)電子衍射	200 ～ 2,000 mm		250 ～ 2,500 mm	400 ～ 3,000 mm
EELS 散射
能量選擇　在能量選擇狹縫上	0.85 μm/eV , 300 kV
底片上	100 ～ 220 μm/eV , 300kV
樣品室
樣品移動范圍 (XY/Z)	2mm/0.2mm	2mm/0.4mm	2mm/0.4mm	2mm/0.4mm
樣品傾斜角 (X/Y)	±25°/±25°^*3	±35°/±30°^*3	±42°/±30°^*3	±38°/±30°^*3
EDS^*4
固體角	0.13 sr			0.09 sr
取出角	25°			20°