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詳細摘要： 滑式真空爐CVD系統(tǒng)由滑動式開啟式真空管式爐,混氣系統(tǒng),真空及壓力系統(tǒng)等組成。此系統(tǒng)燒結(jié)溫度可達1200℃,通過滑動爐體來實現(xiàn)快速的升降溫

詳細摘要： 混合氣體化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)由高溫管式爐,真空壓強控制系統(tǒng),多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),過壓保護及冷凝等部分組成,可實現(xiàn)真空達0.1mbar混合氣體化學(xué)...

詳細摘要： CVD浮子混氣系統(tǒng)適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用

詳細摘要： 管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成,溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等,極限真空可以達到10-3Pa

詳細摘要： 雙溫區(qū)PECVD實驗室設(shè)備由滑動式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成,溫度可以達到1400度,極限真空可以達到10-3Pa,供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量...

詳細摘要： 三溫區(qū)PECVD實驗室設(shè)備由單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成PECVD設(shè)備是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體