低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）
產(chǎn)品介紹 
LPCVD 是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來(lái)提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si₃N₄、SiO₂、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。



設(shè)備主要特點(diǎn)  
◆對(duì)工藝時(shí)間、溫度、氣體流量、閥門(mén)動(dòng)作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。
◆采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng)，閉環(huán)控制，穩(wěn)定性強(qiáng)。
◆采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門(mén)，確保氣路氣密性。
◆具有*的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
◆具有良好的人機(jī)界面，靈活的工藝性能。



主要技術(shù)指標(biāo)

適用硅片尺寸	2-6''
工作溫度范圍	300-1000℃
恒溫長(zhǎng)度及精度	800mm±1℃
溫度梯度	0-30℃可調(diào)
系統(tǒng)極限真空度	0.5Pa
工作壓力范圍	30Pa-260Pa可調(diào)
淀積膜種類(lèi)	Si3N4、Poiy-Si、SiO2
淀積膜均勻性	Poiy-Si 片內(nèi)＜±3%，片間＜±3%，批間＜±3%
淀積膜均勻性	Sio2     片內(nèi)＜±3%，片間＜±3%，批間＜±3%
淀積膜均勻性	Si3N4   片內(nèi)＜±3%，片間＜±3%，批間＜±3%