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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕設(shè)備(ICP)

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更新時(shí)間:2021-11-12 16:08:53瀏覽次數(shù):1438

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產(chǎn)品簡介

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)產(chǎn)品性能及特點(diǎn)◆設(shè)備穩(wěn)定可靠、工藝,主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽能電池片RIE工藝

詳細(xì)介紹

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)
產(chǎn)品性能及特點(diǎn)
◆設(shè)備穩(wěn)定可靠、工藝,主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽能電池片RIE工藝。
◆可用于2-8寸工藝尺寸。
◆設(shè)備采用半導(dǎo)體刻蝕機(jī)的成熟技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對腔室內(nèi)等離體密度的均勻控制,滿足多種材料刻蝕工藝的要求。
◆設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì),整機(jī)包括工藝模塊(PM: Process Module)和傳輸模塊(TM: Transfer Module)?;诠に嚹K內(nèi)進(jìn)行刻
蝕,工藝時(shí),在基片上方產(chǎn)生等離子體,對基片進(jìn)行刻蝕。傳輸模塊裝有全自動機(jī)械手取放片,或者安全性高互鎖機(jī)構(gòu),實(shí)現(xiàn)基片在
傳輸模塊和工藝模塊之間的傳輸,其傳輸方式可以根據(jù)客戶要求選配。
◆具備全自動的軟件操作系統(tǒng)/半自動操作,可以根據(jù)客戶選配
◆主要應(yīng)用范圍:半導(dǎo)體芯片,TFT器件,膜層集成圖像化,太陽能電池,銀納米,石墨烯等新材料制備等



主要技術(shù)參數(shù)

真空室工位單腔、多腔(MAX:7)
反應(yīng)室極限真空度≤1x10-4Pa
工藝壓強(qiáng)范圍2~133 Pa
樣片尺寸2~8英寸
刻蝕速率:100~3000nm/min
刻蝕均勻性±3%~±5%
RF電源13.56MHZ /2MHZ/4MHZ 可選
樣片熱/冷卻方式Chiller , 可選He冷背吹
操作方式全自動方式、半自動方式


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