硅膠表面殘余硅羥基的活性（酸性）、硅膠中的金屬殘留和硅膠表面的不均勻是導(dǎo)性化合物色譜峰型不對(duì)稱，拖尾和重現(xiàn)性差的重要因素。博納艾杰爾科技創(chuàng)新的硅膠雙層表面處理技術(shù)，可有效克服上述導(dǎo)性化合物分離不佳的因素的影響。

博納艾杰爾科技推出基于硅膠雙層表面處理技術(shù)的強(qiáng)極性化合物HPLC 分離的系統(tǒng)解決方案：Venusil MP C18，Venusil ASB C18* 和Venusil HILIC 系列色譜柱，使得強(qiáng)極性化合物的分離不再是難題，您將獲得的色譜體驗(yàn)。

硅膠雙層表面處理技術(shù)原理如圖1 所示，硅膠A 先用原硅酸酯B進(jìn)行表面鍵合得到C，C 進(jìn)一步水解為D，D 相對(duì)于初始的硅膠A，增加了一層新的表面（圖1 中D 的虛框部分）。

新增加的表面層相比初始硅膠A 的表面層有如下優(yōu)點(diǎn)：

1、新表面層硅羥基酸性大大降低（新增表面的硅羥基pH=5.2，普通硅膠羥基pH=3.5），硅羥基活性降低，對(duì)堿性化合物的二次保留

效應(yīng)大大減弱，堿性化合物的峰型更加尖銳對(duì)稱。

2、新表面層覆蓋了初始硅膠中的金屬殘留，增加了硅膠表面純度，屏蔽了殘留金屬對(duì)極性化合物的不利影響，峰型大大改善。

3、新表面層覆蓋了硅膠微晶形成過程中導(dǎo)致的表面不均勻，使得硅膠表面更加均勻，重現(xiàn)性更佳。

4、新表面層具有更多的硅羥基，親水性增加，可以使用水或緩沖鹽作為流動(dòng)相，方法開發(fā)靈活性大大增加。

圖1 硅膠雙層表面處理示意圖

圖2 Venusil ASB C18硅膠表面鍵合技術(shù)示意圖

注：Venusil ASB C18 是在形成新的硅膠表面層上鍵合異丁基硅烷。