詳細(xì)介紹

OTL-PECVD-1200三溫區(qū)PECVD系統(tǒng),由OTL1200真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。
主要特點(diǎn):
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
OL1200-PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件,采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表,移相觸發(fā)、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料,爐管兩端能不銹鋼法蘭密封,不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表,抽真空時真空度能夠達(dá)到10-3 Pa,具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、*等優(yōu)點(diǎn)。
(3)、電阻均衡、溫場均衡性好
(4)、加熱元件:瑞典Kanthal A1 進(jìn)口電阻絲 (電阻絲可承諾保修2年)
當(dāng)電路過流或漏電時,空開會自動斷開
該爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個參數(shù),并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況,爐子的實(shí)際升 溫曲線電腦會實(shí)時繪出,并能把每個時刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來,隨時可以調(diào)出真空度。
(2)、采用*成型。
(3)、爐膛里電阻絲的間距和節(jié)距全部按日本的熱工技術(shù)布置、經(jīng)過熱工軟件模擬溫場
(4)、采用4周加熱,溫場更加均衡
(全部通過UL認(rèn)證的進(jìn)口電器)
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