基本規(guī)格

分辨率

3.0 nm(2nm) @ 30 kV SE和W（LaB6）

4.5 nm      @ 30 kV BSD（VP模式）

15nm       @ 30 kV 1nA, LaB6

20nm(15nm) @   1kV SE和W（LaB6）

10nm       @   3kV SE

加速電壓

0.2 - 30 kV

放大倍數(shù)

﹤7 - 1,000,000 x / ﹤5 - 1,000,000 x

X射線參數(shù)

工作距離8.5 mm / 出射角35°

OptiBeam®模式

分辨率（Resolution）、景深（Depth）、分析（Analysis）、大視野（Field）、魚眼（Fisheye）

壓力范圍

10 - 400 Pa（MA系列）

10 - 3000 Pa（LS系列）

可以使用的探測器

BSD －背散射電子探測器,多象限二極管

ETSE－Everhart-Thornley 二次電子探測器

VPSE－可變壓力二次電子探測器

SCD －樣品電流探測器

EPSE－延伸可變壓力二次電子探測器

圖象處理

7種積分和平均模式

系統(tǒng)控制

基于Windows® XP的SmartSEM™