單晶硅爐冷卻

單晶爐是一種在惰性氣體(氮?dú)狻⒑鉃橹?環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)*為復(fù)雜。而單晶硅棒的生產(chǎn)對(duì)環(huán)境要求非常高，爐體溫度過(guò)高，則會(huì)造成爐體變形，從而影響設(shè)備尺寸的變化，對(duì)單晶硅棒的生長(zhǎng)造成了很大的影響。爐體長(zhǎng)期處于高溫環(huán)境的工作狀態(tài)，會(huì)使?fàn)t體出現(xiàn)裂縫等，對(duì)爐體造成損傷，降低爐體的使用壽命。

   為降低單晶爐工作過(guò)程中的溫度，一般在單晶爐內(nèi)設(shè)置冷卻結(jié)構(gòu)，通過(guò)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)帶走單晶爐內(nèi)部的熱量，從而降低單晶爐內(nèi)部的溫度。但是水冷系統(tǒng)需要配備冷水機(jī)組、冷卻水池、冷卻水泵及熱交換器等設(shè)備，整個(gè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，占用空間大，且對(duì)水質(zhì)、流速都有特殊的要求，安裝和使用均比較麻煩。

半導(dǎo)體工藝設(shè)備為半導(dǎo)體大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ)。摩爾定律，給電子業(yè)描繪的前景，必將是未來(lái)半導(dǎo)體器件的集成化、微型化程度更高，功能更*。這里先介紹半導(dǎo)體工藝的頭道工序——單晶體拉胚的單晶爐。

單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

單晶硅爐型號(hào)有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如 120、150 等型號(hào)是由投料量決定， 85 爐則是指主爐筒的直徑大小。

單晶硅爐冷卻的主體構(gòu)成由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。

單晶硅片工藝流程

硅，Si，地球上含硅的東西很多，好像90%以上都是晶硅的，也就是單晶硅。太陽(yáng)能級(jí)別的硅純度6N以上就可以了。

開始是石頭，（石頭都含硅），把石頭加熱，變成液態(tài)，再加熱變成氣態(tài)，把氣體通過(guò)一個(gè)密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加熱，兩頭用石墨夾住，氣體通過(guò)這個(gè)箱子，子晶會(huì)把氣體中的一種吸符到子晶上，子晶慢慢就變粗了，因?yàn)槭菤怏w變固體，所以很慢，一個(gè)月左右，箱子里有就了很多長(zhǎng)長(zhǎng)的原生多晶硅。

單晶硅片由此進(jìn)入生產(chǎn)流程：

1、酸洗：使用稀硝酸HNO3,進(jìn)行清洗，去除表面雜質(zhì)及提煉時(shí)產(chǎn)生的四氯化硅。

2、清洗：清洗硅料經(jīng)過(guò)酸洗后的殘留雜質(zhì)。