芯片先進(jìn)制程持續(xù)迭代,高純氮?dú)?、氬氣、硅烷等電子特氣成為晶圓刻蝕、薄膜沉積、EUV 光刻的核心介質(zhì),ppb 級(jí)微量水汽會(huì)直接造成晶圓氧化、光刻圖形偏移、薄膜缺陷,大幅拉低芯片良率。行業(yè)硬性要求特種工藝氣體露點(diǎn)穩(wěn)定維持在 - 70℃至 - 90℃區(qū)間,常規(guī)電容式、氧化鋁露點(diǎn)儀存在漂移大、超低濕測(cè)量失真、易被工藝副產(chǎn)物污染等短板,難以匹配嚴(yán)苛在線監(jiān)測(cè)需求,而美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 憑借基準(zhǔn)級(jí)冷鏡測(cè)量技術(shù),成為半導(dǎo)體高純氣體微量水分在線監(jiān)測(cè)的核心設(shè)備。

美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 搭載三級(jí)珀耳帖疊加輔助低溫制冷鏡面?zhèn)鞲衅鳎瑴y(cè)量下限直達(dá) - 90℃霜點(diǎn),、wan美覆蓋半導(dǎo)體超純氣體所需的極限低濕檢測(cè)區(qū)間,區(qū)別于間接測(cè)算類儀器,美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 依托物理飽和蒸氣壓原理直接測(cè)定露點(diǎn),標(biāo)準(zhǔn)精度可達(dá) ±0.2℃,按需可升級(jí)至 ±0.1℃,能夠精準(zhǔn)捕捉高純氣流中微小水分波動(dòng),杜絕因檢測(cè)誤差漏判水汽超標(biāo)隱患。
半導(dǎo)體產(chǎn)線需 7×24 小時(shí)不間斷在線監(jiān)測(cè),設(shè)備長(zhǎng)期接觸微量光刻揮發(fā)物、蝕刻副產(chǎn)物,傳感器污染是行業(yè)普遍痛點(diǎn)。美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 內(nèi)置自動(dòng)鏡面污染物校正、開(kāi)機(jī)光學(xué)自動(dòng)平衡系統(tǒng),支持自定義 ABC 自動(dòng)清潔周期,可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期無(wú)人值守穩(wěn)定運(yùn)行,無(wú)需頻繁停機(jī)校準(zhǔn)維護(hù),大幅降低產(chǎn)線運(yùn)維成本;同時(shí)美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 自帶壓力補(bǔ)償模塊,適配 0~5bar 工藝氣體壓力區(qū)間,產(chǎn)線供氣壓力波動(dòng)時(shí)仍可精準(zhǔn)換算 ppmv 水分濃度,實(shí)時(shí)輸出露點(diǎn)、濕度、壓力多維度數(shù)據(jù)。
在信號(hào)聯(lián)動(dòng)層面,美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390 配備 4-20mA、0-10V 多路模擬輸出與 RS232 數(shù)字通訊接口,測(cè)量數(shù)據(jù)可同步接入工廠 MES、FMCS 中控系統(tǒng);雙路可編程報(bào)警支持自鎖、自動(dòng)復(fù)位兩種模式,一旦高純氣體露點(diǎn)逼近工藝閾值,立即觸發(fā)預(yù)警并聯(lián)動(dòng)前端干燥純化裝置,構(gòu)建 “實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) - 超標(biāo)報(bào)警 - 自動(dòng)除濕" 閉環(huán)管控體系,從源頭阻斷水汽進(jìn)入晶圓工藝腔體。
整機(jī)采用臺(tái)式、19 英寸機(jī)架雙安裝方案,前置傳感器設(shè)計(jì)便于潔凈室快速拆裝清潔,設(shè)備為美國(guó)原廠制造,擁有 ISO/IEC 17025 校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室資質(zhì),出廠附帶 NIST 可溯源證書,測(cè)量數(shù)據(jù)具備完整溯源性,滿足半導(dǎo)體工廠計(jì)量審核、SEMI 行業(yè)規(guī)范要求。
如今,國(guó)內(nèi)外多家 12 英寸先進(jìn)晶圓廠均批量部署美國(guó) EdgeTech 冷鏡露點(diǎn)儀 DewTech390,覆蓋高純氣體供氣管道、真空腔體、特氣純化裝置全點(diǎn)位在線監(jiān)測(cè),穩(wěn)定將工藝氣體水分控制在標(biāo)準(zhǔn)限值以內(nèi),有效減少水汽引發(fā)的晶圓報(bào)廢,為納米級(jí)芯片量產(chǎn)提供可靠的微量水分監(jiān)測(cè)保障