涌入電流可能意外地沖破放電短路限值

　　是當(dāng)圖3的涌入電流流向電芯時造成的電池組壓降，說明了使用低阻抗電芯及電芯間連接的重要性。涌入電流造成電池組電壓降低了10.8V，涌入電流的量級通過增加功率FET的隔離電阻(Riso1和Riso2)來降低，隔離電阻的增加會增加涌入電流事件的持續(xù)時間。

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   OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 在這個面積有限的RDS(on)操作

　　實(shí)踐中通常對DSC限值與涌入電流持續(xù)時間進(jìn)行平衡，A20B-0009-0051涌入電流可能大到工作電流的100倍或更高。圖3顯示了涌入電流瞬態(tài)事件的一個例子，其中涌入電流峰值為270A，工作電流消耗為8A。如果允許涌入電流沖破DSC限值，則FET將在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。

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