增加FET柵極與FET控制引腳之間的隔離電阻器阻值，A20B-0009-0031可通過延長FET關(guān)斷時(shí)間而減小電壓瞬變的幅度。同時(shí)，這還通過涉及FET電容的RC時(shí)間常數(shù)延長了功率FET的導(dǎo)通時(shí)間。需要注意的是，兩處情況下都有隔離電阻器的存在。

　　功率FET關(guān)斷速度過慢會導(dǎo)致功率FET損壞或掉電。如圖2所示，大多數(shù)功率FET產(chǎn)品數(shù)據(jù)表都提供FET電流與VDS和持續(xù)時(shí)間之間關(guān)系的曲線圖。例如短路電流為100A的20V電池組，圖2顯示了FET在該條件下能維持運(yùn)行1毫秒。

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   OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 在這個(gè)面積有限的RDS(on)操作

　　實(shí)踐中通常對DSC限值與涌入電流持續(xù)時(shí)間進(jìn)行平衡，涌入電流可能大到工作電流的100倍或更高。圖3顯示了涌入電流瞬態(tài)事件的一個(gè)例子，其中涌入電流峰值為270A，工作電流消耗為8A。如果允許涌入電流沖破DSC限值，則FET將在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。

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