在集成電路工藝中，實現(xiàn)夾層電阻有很多種方法。A20B-0006-0900本文研究的夾層電阻就是其中的一種，它不需要通過額外增加光刻MASK層就能實現(xiàn)。圖1為該夾層電阻的平面示意圖。

　　圖1中，夾層電阻區(qū)為低濃度的P型注入?yún)^(qū)，它主要利用工藝中的現(xiàn)有層次實現(xiàn)，比如Pbase層或者Pbody層。該P型夾層電阻區(qū)被N+和N阱*包圍，因此該結(jié)構(gòu)就是一個被N+和N阱兩個層次夾在中間的P型夾層電阻。

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    夾層電阻的優(yōu)勢是阻值很高，缺點是對電壓比較敏感。A20B-0006-0950對該夾層電阻進行I-V掃描，起始電壓為0 V,步進為0.5 V,結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下特性：當電阻兩端電壓從0開始增加時，夾層電阻的阻值迅速上升，但是到電壓超過4 V左右后，電阻阻值雖然還是繼續(xù)增加，但是此時呈現(xiàn)出線性上升的特性，即電阻跟隨電壓呈比例地上升，當電壓到14~15 V左右時，電阻開始急劇減小，呈現(xiàn)出擊穿效應(yīng)。

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