通過把兩個相同大小的JFET管串聯(lián)，A20B-0005-0714可以適應更大的電壓變化范圍，此時，可以讓Vin在2Vp和2Vb之間變化時（即2Vp<Vin<2Vb），在JFET管的漏端輸出恒定的電流IR.而且電流的大小取決于單個JFET管的尺寸，即低濃度P型注入?yún)^(qū)的長度L和寬度W.假定Vp為4 V,Vb為15 V,則圖5的雙器件電流源結(jié)構(gòu)允許的電壓范圍就是8~30 V.

　　根據(jù)上述原理進行類推，當串聯(lián)JFET管的個數(shù)為N（N為自然數(shù)）時（見圖6），它允許的工作電壓范圍就是N×Vp~N×Vb,而且當N×Vp<Vin<N×Vb時，電路能輸出恒定的電流。需要注意的是，當進行2個以上的JFET管串聯(lián)時，各個JFET管的尺寸必須相同（也即長度L和寬度W必須相等），否則電路的分壓比會發(fā)生變化，電路就有可能會無法正常工作。在這個前提下，輸出恒定電流IR的大小取決于其中單個JFET管的尺寸。

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    利用該夾層電阻的特性，下面開始設計一款振蕩器。A20B-0005-0730該振蕩器的設計要求為：工作電壓范圍為3~25 V,振蕩器功耗越低越好，在微安級，且希望當電壓在9~25 V之間變化時，振蕩器的輸出頻率是恒定的。

　　在該振蕩器中，由該夾層電阻（等效為P溝道JFET管）來提供恒流源，用于芯片內(nèi)部振蕩器的電容充放電電流。由于振蕩器的振蕩頻率主要取決于電容充放電的電流大小，因此一旦電流恒定，則振蕩頻率就不變。電路要求的電壓zui高為25 V,根據(jù)前面的分析，單個器件的耐壓會不夠，因此采用雙器件串聯(lián)結(jié)構(gòu)，理論耐壓應該可以接近30 V.

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