JFET管的溝道區(qū)為低濃度的P型注入?yún)^(qū)，A20B-0005-0700型溝道被N+和N阱上下夾住，因此可以把N+和N阱看成JFET管的柵極（Gate），把兩個SP注入?yún)^(qū)一個看成JFET管的源端（Source），另一個看成JFET管的漏端（Drain）。

　　單器件電流源能滿足輸入電壓在4~15 V左右之間變化時，輸出恒定電流。為了獲得更寬的電壓范圍，需要對上述電路進行改進，如圖5.

　　如圖5所示，通過把兩個相同大小的JFET管串聯(lián)，可以適應更大的電壓變化范圍，此時，可以讓Vin在2Vp和2Vb之間變化時（即2Vp<Vin<2Vb），在JFET管的漏端輸出恒定的電流IR.而且電流的大小取決于單個JFET管的尺寸，即低濃度P型注入?yún)^(qū)的長度L和寬度W.假定Vp為4 V,Vb為15 V,則圖5的雙器件電流源結構允許的電壓范圍就是8~30 V.

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    只要把該JFET管的柵源短接且都接到輸入工作電壓Vin上，則當電壓在Vp和Vb之間變化時（即Vp<Vin<Vb），該JFET管的漏端就能輸出恒定的電流IR.恒定電流的大小取決于該JFET管的尺寸，也即低濃度P型注入?yún)^(qū)的長度L和寬度W（見圖1）。

　　一般來說，Vp在3~4 V左右，而Vb可以在10~15 V左右甚至更高，當然，由于不同工藝間的差異，Vp和Vb的大小會有所不同。

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