夾層電阻的優(yōu)勢(shì)是阻值很高，缺點(diǎn)是對(duì)電壓比較敏感。A20B-0005-0290對(duì)該夾層電阻進(jìn)行I-V掃描，起始電壓為0 V,步進(jìn)為0.5 V,結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下特性：當(dāng)電阻兩端電壓從0開始增加時(shí)，夾層電阻的阻值迅速上升，但是到電壓超過4 V左右后，電阻阻值雖然還是繼續(xù)增加，但是此時(shí)呈現(xiàn)出線性上升的特性，即電阻跟隨電壓呈比例地上升，當(dāng)電壓到14~15 V左右時(shí)，電阻開始急劇減小，呈現(xiàn)出擊穿效應(yīng)。把上述電阻測(cè)試時(shí)的I-V數(shù)值進(jìn)行曲線擬合。

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    因此在圖2中，拐點(diǎn)Vp就是該P(yáng)溝道JFET管的夾斷電壓，當(dāng)-Vds電壓超過Vp后，JFET管產(chǎn)生夾斷，源漏電流開始趨于穩(wěn)定。拐點(diǎn)Vb為該P(yáng)溝道JFET管的擊穿電壓，當(dāng)-Vds電壓大于Vb后，JFET管產(chǎn)生擊穿，Ids增大。

　　在前面的夾層電阻測(cè)試時(shí)，實(shí)際上是把PJFET管的柵端（Gate）和源端（Source）短接，形成了圖4所示的連接結(jié)構(gòu)。

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