Maxmile晶片電致發(fā)光映射技術(shù)為LED/LD產(chǎn)業(yè)提供了的特性化解決方案。EpiEL系統(tǒng)無需任何高成本和耗時的設(shè)備制造，即可使未加工發(fā)光材料作為成品設(shè)備（如LED）通過電致發(fā)光測量，無損檢測且測量快速。憑借這種的性能，MaxMile EpiEL技術(shù)為光電（特別是固態(tài)照明）行業(yè)提供了的電致發(fā)光解決方案，帶來了新的性能和更高的效率。它結(jié)合了優(yōu)異的性能、多功能性和可靠性，易于學(xué)習(xí)操作。

EpiEL測試儀-光致發(fā)光電致發(fā)光測試儀-Maxmile 產(chǎn)品描述：

EpiEL測試儀-光致發(fā)光電致發(fā)光測試儀-Maxmile 無需任何高成本和耗時的設(shè)備制造，即可使未加工發(fā)光材料作為成品設(shè)備（如LED）通過電致發(fā)光測量，無損檢測且測量快速。憑借這種的性能，MaxMile EpiEL技術(shù)為光電（特別是固態(tài)照明）行業(yè)提供了的電致發(fā)光解決方案，帶來了新的性能和更高的效率。它結(jié)合了優(yōu)異的性能、多功能性和可靠性，易于學(xué)習(xí)操作。

以光電方面的基本應(yīng)用研究&發(fā)展為前提，Maxmile電致發(fā)光映射系統(tǒng)開發(fā)了以下功能：

• 晶片設(shè)備性能測量；
• 無損快速的電致發(fā)光技術(shù)和晶片級電致發(fā)光映射技術(shù)；
• 材料動向的快速反饋；
• 無晶片材料和系統(tǒng)的開發(fā)；

在工業(yè)產(chǎn)品的開發(fā)，工藝監(jiān)測和質(zhì)量監(jiān)控方面，電致發(fā)光映射系統(tǒng)在質(zhì)量監(jiān)控和成本效益中有優(yōu)異的權(quán)衡：

• 為方法的改進(jìn)、進(jìn)度和系統(tǒng)優(yōu)化提供及時響應(yīng)；
• 為材料增長提供設(shè)備質(zhì)量控制；
• 在晶片評估/篩選到設(shè)備排序之間，啟用高容量特性化；

廣泛應(yīng)用于不同材料：電致發(fā)光映射系統(tǒng)設(shè)計可以用于任何具備電致發(fā)光功能的半導(dǎo)體基發(fā)光外延材料，無論是LD或LED的材料結(jié)構(gòu)。

主要特征：

• 晶片電致發(fā)光測試
• 快速EL和EL映射
• 無損檢測、快速測量
• 圖形系統(tǒng)化控制
• 直觀的系統(tǒng)軟件
• 一鍵式操作
• 無需樣品制備，高生產(chǎn)率
• 探針自動初始化
• 自動化wafer-size識別
• 大屏幕顯示，易使用且更高效
• 高度定制的系統(tǒng)配置
• 多功能探針
• 可根據(jù)不同的測試需求選擇探針
• 自動生成報告
• 靈活地顯示測試結(jié)果
• 廣泛的數(shù)據(jù)分析套裝軟件

EpiEL測試儀-光致發(fā)光電致發(fā)光測試儀-Maxmile 技術(shù)參數(shù)：

• 晶片尺寸： 2，3，4英寸晶片（定制可達(dá)12英寸）。
• 機(jī)臺運動控制：精度< 6微米，步分辨率< 0.5微米。
• 光檢測：傳輸模式標(biāo)準(zhǔn)；反射模式將是可選的（與不透明襯底的樣品） 。
• 探針類型：I型和II型。
• 探針臺：實驗室或生產(chǎn)版本。
• 掃描速度：根據(jù)應(yīng)用程序，每100采樣點約4-20分鐘
• 采樣點：最終用戶采樣點數(shù)量和每個點的光/電測量。
• 測試模式：快速發(fā)光或發(fā)光映射模式。
• 映射類型：共發(fā)射強度，外部量子效率，峰值波長或強度，或給定驅(qū)動電流或電壓的半高寬，給定的驅(qū)動電流或特定波長的發(fā)光強度，等等。其他LED參數(shù)映射值可以自定義。
• 曲線類型：在特定電流/電壓的發(fā)光光譜來看，當(dāng)前或放射性強度與電壓（ LIV ），輸出特點：強度與驅(qū)動電流，半峰全寬或峰波長與驅(qū)動等。
• 映射顏色編碼：彩虹色，漸變色，二元色，溫度，灰色或其它由最終用戶的顏色類型。
• 波長檢測： UV / VIS或VIS / IR ，或自定義。
• 電流測量：標(biāo)準(zhǔn)> 10E -6A ，可選項> 10E -12A。
• 選項：PL特性（ EL -300 ），增強的電氣特性（ EL-500 ），反向漏特性，LD特性。