絕緣材料損耗指數(shù)測(cè)試儀 自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

絕緣材料損耗指數(shù)測(cè)試儀  數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性，是人工讀值和人工計(jì)算*的。

 

絕緣材料損耗指數(shù)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)：

平板電容極片：Φ50mm/Φ38mm可選

間距可調(diào)范圍：≥15mm  

頻率范圍     ：   20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

頻率指示誤差：3×10^-5±1個(gè)字

夾具插頭間距：25mm±0.01mm

主電容調(diào)節(jié)范圍：30-500/18-220pF

測(cè)微桿分辨率：0.001mm

主調(diào)電容誤差：<1%或1pF

夾具損耗角正切值：≦4×10^-4 （1MHz)

Q測(cè)試范圍：2～1023

 

相對(duì)電容率 relativep ermittivity
ε_r
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí)，其電容 C_x與同樣電極構(gòu)形的真空電容C_o 之比:

       Cx

εr = ——　　----------（１）

       Co

式 中 :
ε_r  — 相對(duì)電容率;
C_X  — 充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容;
C_o  — 真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的于燥空氣的相對(duì)電容率ε_r等于1.00053。因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容C_a來(lái)代替C_o測(cè)量相對(duì)電容率ε_r時(shí)，也有足夠的精確度。
在 一 個(gè) 測(cè)量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率ε_r與真空電氣常數(shù)ε_o的乘積.

 

電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

    在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測(cè)量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測(cè)試品電容值                    皮法（ｐF）

 

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

 

結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場(chǎng)和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗(yàn)表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會(huì)大大升高。

 

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司自2012-06-12創(chuàng)立，規(guī)模逐步發(fā)展壯大，憑著過(guò)硬的生產(chǎn)技術(shù)、豐富的管理經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)和良好的企業(yè)信譽(yù)，在試驗(yàn)機(jī)行業(yè)不斷進(jìn)步。在短時(shí)間內(nèi)完成了企業(yè)創(chuàng)建、*、發(fā)展*的過(guò)程，試驗(yàn)儀市場(chǎng)廣闊，產(chǎn)品已經(jīng)銷售到全國(guó)。

 

部分客戶：

*上海硅酸鹽研究所

廣州奧翼電子科技有限公司

樂(lè)清市柳市正和量具儀器商行

上海申銳測(cè)試設(shè)備制造有限公司

惠州市光陽(yáng)科技有限公司

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