一、概述

 介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；GB/T1409電氣絕緣材料電容率介質(zhì)損耗測試儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

二、測試原理

 GB/T1409電氣絕緣材料電容率介質(zhì)損耗測試儀采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測量采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動設(shè)定，諧振點(diǎn)自動搜索，Q值量程自動轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時為方便，測量值為。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。

三、儀器的技術(shù)指標(biāo)

Q值自動鎖定，無需人工搜索

Q表正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

10．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

11．產(chǎn)品配置：

a.測試主機(jī)一臺；

b.電感一套；

c.夾具一 套

測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用IEC60250:1969《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法》(英文版)。

本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)IEC 60250;1969重新起草，在附錄B中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條編號與IEC 60250:1969章條編號的對照一覽表。

考慮到我國國情,在采用IEC 60250:1969時,本標(biāo)準(zhǔn)做了一些修改，有關(guān)技術(shù)性差異已編人正文中并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線標(biāo)識,

為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改:

a)刪除標(biāo)準(zhǔn)的日次和前言;

b)用小數(shù)點(diǎn)“."代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號*，";

c)引用的IEC 60247,由“Measurement of relative permittivity, dielectric dissipation factor andd. c.  resistivity of insulating liquids"即"液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量"代替“Recommended Test cells for Measuring the Resistivity of Insulating Liquidsand Methods of cleaning the cells"即"測量絕緣液體電阻率的試驗(yàn)池及清洗試驗(yàn)池的方法";

d)用“e,"代替"ε.'";

e)增加了“術(shù)語";

f)增加公式中符號說明

g)圖按GB/T1.1-2000標(biāo)注。

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1409-1988的相比,主要變化如下:

1)增加"規(guī)范性引用文件"(本標(biāo)準(zhǔn)2章);

2)增加“電介質(zhì)用途"(本標(biāo)準(zhǔn)4.1);

3)刪去導(dǎo)電橡皮;

4)增加“石墨"(本標(biāo)準(zhǔn)5.1.3);

5)增加“液體絕緣材料"(本標(biāo)準(zhǔn)5.2)。

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1409-1988(固體絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波長在內(nèi))下相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》。

測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法

范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz~300 MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率,介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計(jì)算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān),例如頻率、溫度、濕度,在特殊情況下也與電場強(qiáng)度有關(guān)。

有時在過1000V的電壓下試驗(yàn),則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng),對此不予論述。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件,其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)，

IEC 60247:1978液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量

3術(shù)語和定義

3.1

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

相對電容率relative permittivity

e.

電容器的電之間及電周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容Cx與同樣電構(gòu)形的真空電容C之比

-**(1)

式中:

,一-相對電容率;

C一充有絕緣材料時電容器的電電容:

C.真空中電容器的電電容。

在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率e,等于1.000 53。因此,用這種電構(gòu)形在空氣中的電容C.來代替C。測量相對電容率ε,時,也有足夠的度。

在一個測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率e,與真空電氣常數(shù)。的乘積。

在SI制中,電容率用法/米(F/m)表示。而且,在SI單位中,電氣常數(shù)e為;

￡。 8.854 x10'F/m;36*x10F/m在本標(biāo)準(zhǔn)中,用皮法和厘米來計(jì)算電容,真空電氣常數(shù)為:

3.2

介質(zhì)損耗角dielectric loss angle

由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

3.3

介質(zhì)損耗因數(shù)"dielectric dissipation factor

tand

損耗角e的正切。

3.4

[介質(zhì)]損耗指數(shù)[dielectric]loss index

3.5

該材料的損耗因數(shù)tan8與相對電容率e，的乘積，

復(fù)相對電容率complex relative permittivity

5由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的:4電氣絕緣材料的性能和用途

4.1電介質(zhì)的用途

電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面:

用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣:

用作電容器介質(zhì),

4.2影響介電性能的因素

下面分別討論頻豐、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。

4.2.1頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的e,和tane幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是性分子引起的偶子化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面化所引起的。

4.2.2溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)攢耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。

4.2.3濕度

化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是的。

注:濕度的顯著影響常言發(fā)生在1MHz以下及微波棚率范圍內(nèi)。

4.2.4電場強(qiáng)度

存在界面化時,自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大面增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)，

5試樣和電

5.1固體絕緣材料

5.1.1試樣的幾何形狀

測定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù),采用板狀試樣,也可采用管狀試樣。

在測定電容率需要較時，大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚

度應(yīng)足夠大，以滿足測量所需要的度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。

對 1%的度來講，1.5 mm的厚度就足夠了，但是對于高度，是采用較厚的試樣，例如

6 mm-12 mm 測量厚度使測量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個試樣表面上，且厚度均勻度在士1%內(nèi)。

如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測定厚度 選取試樣的面積時應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣

電容。測量 10 pF的電容時，使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的限分辨能力約 1 pF,因此

試樣應(yīng)薄些，直徑為 10 cm或大些

需要測低損耗因數(shù)值時，很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引人的損耗要盡可能地小，即被測電容和該

電阻的乘積要盡可能小 同樣，被測電容對總電容的比值要盡可能地大 點(diǎn)表示導(dǎo)線電阻要盡可

能低及試樣電容要小。二點(diǎn)表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小，且試樣電容要大。因此試樣電

容取值為20 pF，在測量回路中，與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5 pF,

5. 1.2 電系統(tǒng)

5. 1.2. 1 加到試樣上的電

電可選用 5.1.3中任意一種。如果不用保護(hù)環(huán)。而且試樣上下的兩個電難以對齊時，其中一個

電應(yīng)比另一個些。已經(jīng)加有電的試樣應(yīng)放置在兩個金屬電之間，這兩個金屬電要比試

樣上的電稍小些。對于平板形和圓柱形這兩種不同電結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式以及邊緣電容近似計(jì)算

的經(jīng)驗(yàn)公式由表 飛給出。

對于介質(zhì)損耗因數(shù)的測量，這種類型的電在高頻下不能滿足要求，除非試樣的表面和金屬板都非

常平整。圖 〕所示的電系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻

5.1.2.2 試樣上不加電

表面電導(dǎo)率很低的試樣可以不加電而將試樣插人電系統(tǒng)中測量，在這個電系統(tǒng)中，試樣的一

側(cè)或兩側(cè)有一個充滿空氣或液體的間隙。

平板電或圓柱形電結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式由表 3給出。

下面兩種型式的電裝置特別合適

5. 1.2.2. 1 空氣測微計(jì)電

當(dāng)試樣插人和不插人時，電容都能調(diào)節(jié)到同一個值 ，不需進(jìn)行測量系統(tǒng)的電氣校正就能測定電容

率。電系統(tǒng)中可包括保護(hù)電

5. 1.2.2.2 流體排出法

在電容率近似等于試樣的電容率，而介質(zhì)損耗因數(shù)可以忽略的一種液體內(nèi)進(jìn)行測量，這種測量與試

樣厚度測量的精度關(guān)系不大。當(dāng)相繼采用兩種流體時，試樣厚度和電系統(tǒng)的尺寸可以從計(jì)算公式中

消去

試樣為與試驗(yàn)池電直徑相同的圓片，或?qū)y微計(jì)電來說，試樣可以比電小到足以使邊緣效應(yīng)

忽略不計(jì) 在測微計(jì)電中，為了忽略邊緣效應(yīng)，試樣直徑約比測微計(jì)電直徑小兩倍的試樣厚度。

5. 1.2.3 邊緣效應(yīng)

為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測量誤差，電系統(tǒng)可加上保護(hù)電。保護(hù)電的寬度應(yīng)至少為

兩倍的試樣厚度，保護(hù)電和主電之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。如不能用保護(hù)環(huán)，通常需對邊緣電

容進(jìn)行修正，表 工給出了近似計(jì)算公式 這些公式是經(jīng)驗(yàn)公式，只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀

此外，在一個合適的頻率和溫度下，邊緣電容可采用有保護(hù)環(huán)和無保護(hù)環(huán)的(比較)測量來獲得，用

所得到的邊緣電容修正其他頻率和溫度下的電容也可滿足精度要求

5. 1.3 構(gòu)成電的材料

5. 1.3. 1 金屬箔電

用少量的硅脂或其他合適的低損耗粘合劑將金屬箔貼在試樣上。金屬箔可以是純錫或鉛，也可

以是這些金屬的合金，其厚度大為100 pm，也可使用厚度小于10 I' m的鋁箔。但是，鋁箔在較高溫度

下易形成一層電絕緣的氧化膜，這層氧化膜會影響測量結(jié)果，此時可使用金箔。

5. 1.3.2 燒熔金屬電

燒熔金屬電適用于玻璃、云母和陶瓷等材料，銀是普遍使用的，但是在高溫或高濕下，采

5f. }1k.

3.3 噴鍍金屬電

鋅或銅電可以噴鍍在試樣上，它們能直接在粗糙的表面上成膜。這種電還能噴在布上，因?yàn)樗?/span>

們不穿透非常小的孔眼。

5. 1.3.4 陰蒸發(fā)或高真空蒸發(fā)金屬電

如處理結(jié)果既不改變也不破壞絕緣材料的性能，而且材料承受高真空時也不過度逸體，則本

方法是可以采用的。這一類電的邊緣應(yīng)界限分明。

5.1.3.5 電和其他液體金屬電

把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間，凹模中充有液體金屬，該液體金屬是純凈的。電

不能用于高溫，即使在室溫下用時，也應(yīng)采取措施，這是因?yàn)樗恼魵馐怯卸镜?/span>

伍德合金和其他低熔點(diǎn)合金能代替。但是這些合金通常含有錫,錫象一樣，也是毒性元素。這些

合金只有在良好抽風(fēng)的房間或在抽風(fēng)柜中才能用于 100℃以上，且操作人員應(yīng)知道可能產(chǎn)生的健康危害

5.1.3.6 導(dǎo)電漆

無論是氣干或低溫烘干的高電導(dǎo)率的銀漆都可用作電材料。因?yàn)榇朔N電是多孔的，可透過濕

氣，能使試樣的條件處理在涂上電后進(jìn)行，對研究濕度的影響時特別有用。此種電的缺點(diǎn)是試樣涂

上銀漆后不能馬上進(jìn)行試驗(yàn)，通常要求 12 h以上的氣干或低溫烘干時間，以便去除所有的微量溶劑，否

則，溶劑可使電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)增加。同時應(yīng)注意漆中的溶劑對試樣應(yīng)沒有持久的影響。

要使用刷漆法做到邊緣界限分明的電較困難，但使用壓板或壓敏材料遮框噴漆可克服此局限。

但在高的頻率下，因銀漆電的電導(dǎo)率會非常低，此時則不能使用。

5.1.3.7 石墨

一般不使用石墨，但是有時候也可采用，特別是在較低的頻率下。石墨的電阻會引起損耗的顯

著增大，若采用石墨懸浮液制成電，則石墨還會穿透試樣。

5.1.4 電的選擇

5.1.4.1 板狀試樣

考慮下面兩點(diǎn)很重要:

a) 不加電，測量時快而方便，并可避免由于試樣和電間的不良接觸而引起的誤差。

b) 若試樣上是加電的，由測量試樣厚度 h時的相對誤差 △h1h所引起的相對電容率的相對誤

差 △。r/:r可由下式得到:

Ef— 試樣浸人所用流體的相對電容率，對于在空氣中的測量則。r等于 to

對于相對電容率為 10以上的無孔材料，可采用沉積金屬電。對于這些材料，電應(yīng)覆蓋在試樣

的整個表面上，并且不用保護(hù)電。對于相對電容率在 3-10之間的材料，能給出精度的電是金

屬箔、或沉積金屬，選擇這些電時要注意適合材料的性能。若厚度的測量能達(dá)到足夠精度時，試樣

上不加電的方法方便而可取。如有一種合適的流體，它的相對電容率已知或者能很準(zhǔn)確地測出，

則采用流體排出法是的。

5. 1.4.2 管狀試樣

對管狀試樣而言，合適的電系統(tǒng)將取決于它的電容率、管壁厚度、直徑和所要求的測量精度。

一般情況下，電系統(tǒng)應(yīng)為一個內(nèi)電和一個稍為窄一些的外電和外電兩端的保護(hù)電組成，外電

和保護(hù)電之間的間隙應(yīng)比管壁厚度小 對小直徑和中等直徑的管狀試樣，外表面可加三條箔帶或

沉積金屬帶，中間一條用作為外電(測量電)，兩端各有一條用作保護(hù)電。內(nèi)電可用，沉積金

屬膜或配合較好的金屬芯軸。

高電容率的管狀試樣，其內(nèi)電和外電可以伸展到管狀試樣的全部長度上，可以不用保護(hù)電

大直徑的管狀或圓筒形試樣，其電系統(tǒng)可以是圓形或矩形的搭接，并且只對管的部分圓周進(jìn)行試

驗(yàn)。這種試樣可按板狀試樣對待，金屬箔、沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸內(nèi)電與金屬箔或沉積金

屬膜的外電和保護(hù)電一起使用。如采用金屬箔做內(nèi)電，為 了保證電和試樣之間的良好接觸，需

在管內(nèi)采用一個彈性的可膨脹的夾具。

對于非常準(zhǔn)確的測量，在厚度的測量能達(dá)到足夠的精度時，可采用試樣上不加電的系統(tǒng)。對于相

對電容率 。r不過 10的管狀試樣，方便的電是用金屬箔、或沉積金屬膜。相對電容率在 10以

上的管狀試樣，應(yīng)采用沉積金屬膜電;瓷管上可采用燒熔金屬電。電可像帶材一樣包覆在管狀試

樣的全部圓周或部分圓周上。

5.2 液體絕緣材料

5.2. 1 試驗(yàn)池的設(shè)計(jì)

對于低介質(zhì)損耗因數(shù)的待測液體，電系統(tǒng)重要的特點(diǎn)是:容易清洗、再裝配(必要時)和灌注液

體時不移動電的相對位置。此外還應(yīng)注意:液體需要量少，電材料不影響液體，液體也不影響電

材料，溫度易于控制 ，端點(diǎn)和接線能適當(dāng)?shù)仄帘?/span>;支撐電的絕緣支架應(yīng)不浸沉在液體中，還有，試驗(yàn)池

不應(yīng)含有太短的爬電距離和尖銳的邊緣 ，否則能影響測量精度

滿足上述要求的試驗(yàn)池見圖2一圖4 電是不銹鋼的，用硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣。圖 2

和圖 3所示的試驗(yàn)池也可用作電阻率的測定，IEC 60247;1978對此已詳細(xì)敘述

由于有些液體如氯化物，其介質(zhì)損耗因數(shù)與電材料有明顯的關(guān)系，不銹鋼電不總是合適的

有時，用鋁和杜拉鋁制成的電能得到比較穩(wěn)定的結(jié)果。

5.2.2 試驗(yàn)池的準(zhǔn)備

應(yīng)用一種或幾種合適的溶劑來清洗試驗(yàn)池，或用不含有不穩(wěn)定化合物的溶劑多次清洗?？梢酝ㄟ^

化學(xué)試驗(yàn)方法檢查其純度，或通過一個已知的低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體試樣測量的結(jié)果來確定

當(dāng)試驗(yàn)池試驗(yàn)幾種類型的絕緣液體時，若單使用溶劑不能去除污物，可用一種柔和的擦凈劑和水來清

潔試驗(yàn)池的表面 若使用一系列溶劑清洗時則后要用大沸點(diǎn) 100℃的分析級的石油醚來再次

清洗，或者用任一種對一個已知低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體測量能給出正確值的溶劑來清洗，并且

這種溶劑在化學(xué)性質(zhì)上與被試液體應(yīng)是相似的。使用下述方法進(jìn)行清洗。

試驗(yàn)池應(yīng)全部拆開，地清洗各部件，用溶劑回流的方法或放在未使用溶劑中攪動反復(fù)洗滌方法

均可去除各部件上的溶劑并放在清潔的烘箱中，在 110℃左右的溫度下烘十 30 min

待試驗(yàn)池的各部件冷卻到室溫，再重新裝配起來。池內(nèi)應(yīng)注人一些待試的液體，停幾分鐘后，倒出

此液體再重新倒人待試液體，此時絕緣支架不應(yīng)被液體弄濕。

在 上述各步驟中，各部件可用干凈的鉤針或鉗子巧妙地處理，以使試驗(yàn)池有效的內(nèi)表面不與手接觸

注 1:在同種質(zhì)量油的常規(guī)試驗(yàn)中，上面所說的清洗步驟可以代之為在每一次試驗(yàn)后用沒有殘留紙屑的千紙簡單地

擦擦試驗(yàn)池。

注2:采用溶劑時，有些溶劑特別是苯、四抓化碳、甲苯、是有毒的，所以要注意防火及毒性對人體的影響，此

外，抓化物溶劑受光作用會分解。

5.2.3 試驗(yàn)池的校正

當(dāng)需要測定液體電介質(zhì)的相對電容率時，應(yīng)用一種已知相對電容率的校正液體(如苯)

來測定“電常數(shù)" 。

“電常數(shù)"C。的確定按式(14):

來計(jì)算液體未知相對電容率EX o

式中:

= Co一 C

_CX一Cg

C

··.··.··.····················。··。。。(16)

Cg— 校正電容;

Co— 空氣中電裝置的電容;

C— 電常數(shù);

CX— 電裝置充有被試液體時的電容;

Ex— 液體的相對電容率。

如 Co I C。和 Cx值是在:。是已知的某一相同溫度下測定的，則可求得精度的。x值。

采用上述方法測定液體電介質(zhì)的相對電容率時，可保證其測得結(jié)果有足夠的精度，因?yàn)樗擞?/span>

于寄生電容或電間隙數(shù)值的不準(zhǔn)確測量所引起的誤差。

6 測f方法的選擇

測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。

6.1 零點(diǎn)指示法適用于頻率不過50 MHz時的測量。測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就

是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下，調(diào)節(jié)回路的一個臂使電橋平衡。通常回路采用西林電橋、變壓器

電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián) T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電不需任何外加

附件或過多操作，就可采用保護(hù)電;它沒有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。

6.2 諧振法適用于10 kHz一幾百MHz的頻率范圍內(nèi)的測量。該方法為替代法測量，常用的是變電抗

法。但該方法不適合采用保護(hù)電。

注:典型的電橋和電路示例見附錄。附錄中所舉的例子自然是不的，敘述電橋和側(cè)量方法報導(dǎo)見有關(guān)文獻(xiàn)和

該種儀器的原理說明書

7 試驗(yàn)步驟

7. 1 試樣的制備

試樣應(yīng)從固體材料上截取，為了滿足要求，應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備。

應(yīng)地測量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以內(nèi)，測量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要

時，應(yīng)測其有效面積。

7.2 條件處理

條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。

7.3 測f

電氣測量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。

在 1 MHz或高頻率下，減小接線的電感對測量結(jié)果的影響。此時，可采用同軸接線系統(tǒng)(見

圖 1所示)，當(dāng)用變電抗法測量時，應(yīng)提供一個固定微調(diào)電容器。

8 結(jié)果

8.1 相對電容率 E,

試樣加有保護(hù)電時其相對電容率。r可按公式(1)計(jì)算，沒有保護(hù)電時試樣的被測電容Cl, 包括

了一個微小的邊緣電容 Ce，其相對電容率為:

公 式 中:

E,— 相對電容率;

Cl,— 沒有保護(hù)電時試樣的電容;

C,— 邊緣電容;

Co—

法向間電容;

Co和 C。能從表 1計(jì)算得來。

必要時應(yīng)對試樣的對地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正。

測微計(jì)電間或不接觸電間被測試樣的相對電容率可按表 2、表 3中相應(yīng)的公式計(jì)算得來。

8.2 介質(zhì)損耗因數(shù) tan8

介質(zhì)損耗因數(shù) tans按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計(jì)算。

8.3 精度要求

在5章和附錄 A中所規(guī)定的精度是:電容率精度為士1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為士(5%士

0.000 5)。這些精度至少取決于三個因素:即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測精度;所用電裝置引起的這

些量的校正精度;間法向真空電容的計(jì)算精度(見表 1).

在較低頻率下，電容的測量精度能達(dá)士(0. 1%士。02 pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度能達(dá)士(2%士

0.000 05)。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為士(0. 5%士0. 1 pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測量

精度為士(2%土。.000 2).

對于帶有保護(hù)電的試樣，其測量精度只考慮間法向真空電容時有計(jì)算誤差。但由被保護(hù)電

和保護(hù)電之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾，而校正只能計(jì)算到其本身值的百分

之幾。如果試樣厚度的測量能到士。.005 mm，則對平均厚度為 1. 6 mm的試樣，其厚度測量誤差

能達(dá)到百分之零點(diǎn)幾。圓形試樣的直徑能測定到士0. 1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜

合這些因素，間法向真空電容的測量誤差為10.5%e

對表面加有電的試樣的電容，若采用測微計(jì)電測量時，只要試樣直徑比測微計(jì)電足夠小，則

只需要進(jìn)行間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電試樣時，邊緣電容和對地電容的

計(jì)算將帶來一些誤差，因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%-40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，

計(jì)算邊緣電容的誤差為 10%，計(jì)算對地電容的誤差為25 。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之

幾。當(dāng)電不接地時，對地電容誤差可大大減小。

采用測微計(jì)電時，數(shù)量級是。.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的士0.000 3，數(shù)量級0.000 2的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的士。.000 05。介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是。.000 1-0. 1，但也可擴(kuò)展到。.1

以上。頻率在10 MH:和20 MHz之間時，有可能出。.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1-5的相對電容

率可測到其真值的士20o，該精度不僅受到計(jì)算間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計(jì)電

系統(tǒng)誤差的限制。

9 試驗(yàn)報告

試驗(yàn)中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:

絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚度

和試樣在與電接觸的表面進(jìn)行處理的情況);

試樣條件處理的方法和處理時間;

電裝置類型，若有加在試樣上的電應(yīng)注明其類型;

測量儀器;

試驗(yàn)時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度;

施加的電壓;

施加的頻率;

相對電容率。r(平均值);

介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);

試驗(yàn) 日期 ;

相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時，應(yīng)給出與溫

度和頻率的關(guān)系。

試樣的相對電容率:

其 中
C,— 電之間被測的電容;
In一一 自然對數(shù);
Ig一一常用對數(shù)