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北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司
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更新時(shí)間:2026-01-23 16:18:01瀏覽次數(shù):140次
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產(chǎn)品介紹:
FE-5000W+型綜合鐵電測(cè)試儀(薄膜+塊體+變溫)是一款高量程款的鐵電性能材料測(cè)試裝置,這款設(shè)備可以適用于鐵電薄膜、鐵電體材料(既可塊體材料)的電性能測(cè)量,可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜值??梢赃M(jìn)行電致應(yīng)變測(cè)試,可以蝴蝶曲線功能,設(shè)備還可以擴(kuò)展高溫電阻,高溫介電,電容-電壓曲線,TSC/TSDC等功能。本儀器是從事壓電材料及壓電元件生產(chǎn)
FE-5000W+型綜合鐵電測(cè)試儀(薄膜+塊體+變溫)
關(guān)鍵詞:電滯回線 ,鐵電測(cè)試儀,電壓,頻率 ,電致應(yīng)變,蝴蝶曲線
一、產(chǎn)品介紹:
FE-5000W+型綜合鐵電測(cè)試儀(薄膜+塊體+變溫)是一款高量程款的鐵電性能材料測(cè)試裝置,這款設(shè)備可以適用于鐵電薄膜、鐵電體材料(既可塊體材料)的電性能測(cè)量,可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜值。可以進(jìn)行電致應(yīng)變測(cè)試,可以蝴蝶曲線功能,設(shè)備還可以擴(kuò)展高溫電阻,高溫介電,電容-電壓曲線,TSC/TSDC等功能。本儀器是從事壓電材料及壓電元件生產(chǎn)、應(yīng)用與研究部門的重要設(shè)備之一,已經(jīng)在各大高校和科研院所廣泛使用。
(二)主要功能應(yīng)用范圍:
1、陶瓷塊體測(cè)試:
鈦酸鋇(BaTiO?)陶瓷
鋯鈦酸鉛(Pb (Zr,Ti) O?,PZT)陶瓷
鈦酸鉍鈉((Bi?/?Na?/?) TiO?,BNT)陶瓷
鈮酸鹽系陶瓷
鈮鎂酸鉛(Pb (Mg?/?Nb?/?) O?,PMN)陶瓷
2、鐵電薄膜測(cè)試:
超薄二維p型BiCuSeO薄膜
鈦酸鋇(BaTiO?)薄膜
鉛鋯鈦氧化物(Pb (Zr,Ti) O?,PZT)薄膜
鈮酸鋰(LiNbO?)薄膜
鈦酸鉛(PbTiO?)薄膜
鈦酸鍶鋇(Ba?Sr???TiO?,BST)薄膜
薄膜聚合等其他材料
3、鐵電材料變溫測(cè)試
4、可擴(kuò)展模塊:
印跡印痕IM
變溫測(cè)試THM
POM 模塊實(shí)現(xiàn)極化測(cè)量功能
CVM模塊實(shí)現(xiàn)小信號(hào)電容測(cè)試,獲得C-V曲線
PZM模塊實(shí)現(xiàn)壓電特性測(cè)試
DPM模塊測(cè)試介電性能
RTM模塊測(cè)試電阻/電阻率性能
CCDM模塊實(shí)現(xiàn)電容充放電測(cè)試。
二、主要技術(shù)指標(biāo):
1、輸出信號(hào)電壓:±5KV,±10KV可擴(kuò)展電致應(yīng)蝴蝶曲線功能
2、溫度;室溫-200℃,控溫精度:±1℃
3、控制施加頻率0.01到1KHz(陶瓷、單晶,薄膜)PC端軟件控制自定義設(shè)置;
4、控制輸出電流0到±50mA連續(xù)可調(diào),PC端軟件控制自定義設(shè)置。
a) 5、動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率范圍 0.01Hz-5kHz(電滯回線測(cè)量頻率:250kHz / 0~10VAC,50kHz /10~200VAC;)
7、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;
8、疲勞測(cè)試頻率500kHz(振幅10 Vpp,負(fù)載電容1 nF);使用高壓放大器后疲勞頻率5kHz;
9、測(cè)試速度:測(cè)量時(shí)間《5秒/樣品•溫度點(diǎn)
10、樣品規(guī)格:塊體材料尺寸:直徑2-100mm,厚度0.1-10mm
11、主要功能:電滯回線,I-V特性,脈沖PUND,疲勞Fatigue,電擊穿強(qiáng)度BDM,漏電流LM。
10. 電荷解析度不小于10 mC;漏電流測(cè)量范圍:1pA~ 20 mA,分辨率不低于0.1pA;
11.配置薄膜測(cè)試變溫探針臺(tái)一套,電子顯微鏡一套,高壓放大器±100V 一臺(tái),溫度范圍:室溫~400度。樣品厚度:30nm~1mm,測(cè)試頻率0.01Hz~100kHz@0~±100V
12、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;
13、控制方式:計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)控制、實(shí)時(shí)顯示、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)計(jì)算、分析與存儲(chǔ)
14、軟件采集:自動(dòng)采集軟件,分析可以兼容其他相關(guān)主流軟件。
14、測(cè)試精度:±0.05%
15、內(nèi)置電壓:±200V
16、應(yīng)變模塊:配置進(jìn)口干涉儀
主要技術(shù)參數(shù):量程:0.3mm-30mm
綜合知識(shí)點(diǎn):
鈦酸鋇(BaTiO?)薄膜:
具有較高的介電常數(shù),其單晶薄膜的介電常數(shù)可達(dá)約 1200-1700,擊穿電場(chǎng)介于 200-400kV/cm。室溫下為四方相結(jié)構(gòu),Ti 離子偏離中心位置,形成自發(fā)極化,常用于制作電容器、聲表面波換能器等器件。 |
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鉛鋯鈦氧化物(Pb (Zr,Ti) O?,PZT)薄膜: 呈現(xiàn)鈣鈦礦結(jié)構(gòu),Zr 和 Ti 分別占據(jù) B 位,Pb 占據(jù) A 位。其飽和極化強(qiáng)度(Ps)可達(dá) 60μC/cm2,殘余極化強(qiáng)度(Pr)約在 20-40μC/cm2,矯頑電場(chǎng)(Ec)約為 50-150kV/cm,介電常數(shù)約 500-1200,擊穿電場(chǎng)一般為 300-500kV/cm,在鐵電存儲(chǔ)器、壓電傳感器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 |
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鈮酸鋰(LiNbO?)薄膜:屬于鈮酸鋰型鐵電材料,具有良好的壓電、電光和非線性光學(xué)性能,在光通信、射頻器件等方面有重要應(yīng)用。 |
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鈦酸鉛(PbTiO?)薄膜:同樣具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu),具有較高的居里溫度和自發(fā)極化強(qiáng)度,在高溫傳感器、鐵電電容器等方面有一定的應(yīng)用潛力。 |
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鈦酸鍶鋇(Ba?Sr???TiO?,BST)薄膜:其介電常數(shù)具有強(qiáng)電場(chǎng)可調(diào)性和微波頻率下相對(duì)較低的介電損耗,通過(guò)改變 Ba 和 Sr 的比例,可以調(diào)節(jié)其居里溫度和介電性能,廣泛應(yīng)用于微波可調(diào)諧器件。 |
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FC-5000和美國(guó)TF-2000測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比圖
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