一、應(yīng)用領(lǐng)域

　　該設(shè)備用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系沉積。可鍍各種硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜，亦可鍍鐵磁材料。圖示鍍膜機(jī)為雙腔室，共用高真空系統(tǒng);為避免交叉污染，一個(gè)腔室可實(shí)現(xiàn)電子槍/電阻蒸發(fā)鍍膜，另一腔室可實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜。

　　二、性能參數(shù)

　　1. 極限真空壓力:5×10^-5Pa;

　　2. 磁控靶：直徑Φ50 數(shù)量：2-4只;

　　3. 靶單位面積功率:(W/cm2)5～20;

　　4. 靶電源功率(W):DC500W，RF500W;

　　5. 基片加熱溫度:0～500℃可控;

　　6. 工藝氣體：MFC 1-3路;

　　7. 樣品架：公轉(zhuǎn) 2-20rpm可調(diào);

　　8. 電子槍：1套 6-10KW 電(氣)動(dòng)擋板;

　　9. 蒸發(fā)電源：數(shù)量：1-2組 功率：2KW 電壓：0-35V;

　　10. 其它配置：偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)、磁控靶電(氣)動(dòng)擋板可選;