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專門為電子束敏感樣品和需極大300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計。
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
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柯岷國際貿易（上海）有限公司
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| 參考價 | 面議 |
更新時間：2024-04-26 15:22:28瀏覽次數：278
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專門為電子束敏感樣品和需極大300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計。
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
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用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
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