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陜西天士立科技有限公司


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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

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參   考   價(jià): ￥ 29000

訂  貨  量: ≥1 套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)STD2002

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式：王偉查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2024-04-29 15:28:24瀏覽次數(shù)：345次

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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：13條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：王偉 （總經(jīng)理）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
自動(dòng)化程度 半自動(dòng)    

測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode

測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)

詳細(xì)介紹

 

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

 

 

 

 

 

測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode

測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)

 

 

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

IGBT測(cè)試

IGBT測(cè)試項(xiàng)目

測(cè)試條件

測(cè)試結(jié)果

柵極-發(fā)射極柵

極絕緣

Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA

截止電流

Vces: 100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3% ±10V

Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

閾值電壓

Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA

（可根據(jù)客戶需求擴(kuò)展）

Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

飽和壓降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

 

 

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

MOSFET測(cè)試

MOSFET測(cè)試項(xiàng)目

測(cè)試條件

測(cè)試結(jié)果

柵極-源極絕緣

Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA

漏極-源極截止電流

Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

柵極-源極閾值電壓

Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA

Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

漏極-源極導(dǎo)通電阻

Ids:20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管反向電流

Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

 

 

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

DIODE測(cè)試

DIODE測(cè)試項(xiàng)目

測(cè)試條件

測(cè)試結(jié)果

二極管壓降

If:20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

 

 

 

I



GBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

 

 


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