可測試的樣品:

1. 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等

2. 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR材料等

3. 高阻抗材料：半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等

霍爾系統(tǒng)的組成:

系統(tǒng)由：電磁鐵、高精度電源、連接電纜、高精度恒流源、高精度電壓表、高斯計、標準樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的DX-320效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。DX-320可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的工具。實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。

主要參數(shù)：

1. 磁場強度：大于7000高斯（DX-50），大于14000高斯（DX-100），氣隙15mm
2. 電流：0.1mA-50mA（可擴展到1A）
3. 測量電壓：0.1uV-3V
4. 所提供的標樣材料：GaAs， Si等
5. 磁場最小分辨率：0.01mT
6. 磁場測量范圍：0-3T
7. 電阻范圍：10mΩ-1MΩ
8. 載流子濃度：10³-10²²cm^-3
9. 遷移率：0.1-10⁸cm²/volt*sec
10. 系統(tǒng)測量誤差：＜2%
11. 用高斯計或數(shù)據(jù)采集板計算機通信
12. I-V曲線和I-R曲線測試
13. 電阻率范圍：10^-6-10¹¹ohm*cm
14. 電阻范圍：10mΩ-1MΩ
15. 載流子濃度：10³-10²²cm^-3
16. 遷移率：10²-10⁷cm²/volt*sec
17. 全自動測試，一件處理

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