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可飽和吸收鏡

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更新時間:2025-08-05 08:34:30瀏覽次數(shù):143

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產(chǎn)品簡介

德國Batop公司是一家專門生長半導(dǎo)體可飽和吸收體等半導(dǎo)體光電器件公司

詳細介紹

德國Batop公司是一家專門生長半導(dǎo)體可飽和吸收體等半導(dǎo)體光電器件公司。產(chǎn)品包括:SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡,RSAM共振可飽和吸收鏡,SOC可飽和吸收耦合輸出鏡,SLD超發(fā)光二極管,光電導(dǎo)天線和時域光譜儀。其中SESAM,RSAM和SOC是用于穩(wěn)定、自啟動DPSS被動鎖模激光器的鎖模元件。



型號命名規(guī)則:鏡子型號(SAM/RSAM/SOC/SA/FS-SANOS)-λ-A-τ-x

? 鏡子型號 – SAM:半導(dǎo)體可飽和吸收鏡;RSAM:共振可飽和吸收鏡;SOC:可飽和吸收耦合輸出鏡;SA:可飽和吸收體;FS-SANOS:可飽和體噪聲去除腔;

? λ – 中心波長

? A – 飽和吸收率

? τ – 弛豫時間

? x – 封裝類型

 

可選封裝類型

定義:

x = 4.0-0

x = 1.0b-0

x = 1.3b-0

x = 4.0-12.7g-c / e

x = 4.0-12.7s-c / e

x = 4.0-25.0g-c / e

x = 4.0-25.0s-c / e

x = 4.0-25.4g-c / e

x = 4.0-25.4s-c / e

x = 4.0-25.0w-c / e

x = 4.0-25.0h-c / e

x = FC/(A)PC-SMF

x = FC/(A)PC-PMF

4.0:芯片面積4.0 mm x   4.0 mm

1.0b:四個面積為1.0 mm   x 1.0 mm的芯片組

1.3b:四個面積為1.3 mm   x 1.3 mm的芯片組

0:未封裝的裸芯片

12.7/25.0/25.4:鍍金銅柱底座的直徑(mm)

g:粘在鍍金銅柱上

s:焊在鍍金銅柱上

w:焊在水冷鍍金銅柱上

h:薄膜焊在水冷鍍金銅柱上,適合大功率應(yīng)用

c:中心封裝

e:邊緣封裝

FC/(A)PC-SMF:安裝在1   m 長的單模光纖一端。

FC/(A)PC-PMF:安裝在1   m 長的保偏光纖一端。

 

 

一、半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM

                                               

可飽和吸收鏡 (SAM)是一個非線性反射鏡。反射率隨著脈沖能量的增加而增加。使用可飽和吸收鏡,可以實現(xiàn)具有非常穩(wěn)定的脈沖重復(fù)率的主動、被動鎖模二極管泵浦激光器。

用于固態(tài)和光纖激光器的 SAM 可提供從 800 nm 到 3 µm 波長的寬光譜區(qū)域。

也可以使用 SAM 作為非線性光學(xué)器件來實現(xiàn) Q 開關(guān)微芯片激光器。

 

波長范圍

中心波長

飽和吸收率A0

弛豫時間τ

790 - 830 nm

800 nm

1% -32 %可選

1ps, 5ps

910 - 990 nm

920 nm

20% - 45 %可選

0.5, 1, 3ps可選

940 nm

4% - 68 %可選

1, 2ps可選

980 nm

3% -70 %可選

0.5, 1ps可選

1020 - 1150 nm

1040 nm

1% -65 %可選

0.5 - 35ps可選

1064 nm

0.7% - 70%可選

0.5 - 240ps可選

1100 nm

30% - 90%可選

500fs

1110 - 1320 nm

1150 nm

3% - 32%可選

0.5, 1ps可選

1300 nm

4% - 12%可選

10ps

1320 - 1460 nm

1340 nm

1% - 15%可選

1ps

1420 nm

1%, 4%可選

10ps

1470 - 1660 nm

1510 nm

4% - 23%可選

2, 10ps

1550 nm

3% - 55%可選

1,5 - 18ps可選

1645 nm

2% - 50%可選

2ps

1900 - 2600 nm

1920 nm

2% - 36%可選

2ps

1960 nm

3% - 54%可選

10ps

2000 nm

2% - 50%可選

10ps

2400 nm

1%, 1.5%可選

10ps

2700 - 3200 nm

2800 nm

14%, 24%, 34%可選

10ps

3000 nm

9%, 33%可選

10ps

 

命名規(guī)則:SAM-λ-A-τ-x

例:SAM-800-1-5ps-4.0-12.7s-c

描述:半導(dǎo)體可飽和吸收鏡,中心波長800nm,飽和吸收率1%,弛豫時間5ps,芯片面積4.0 mm x 4.0 mm,焊在直徑為12.7mm的鍍金銅柱中心。

 

 

二、共振可飽和吸收鏡RSAM

共振可飽和吸收鏡 (RSAM) 是一種非線性光學(xué)器件,與可飽和吸收鏡 (SAM) 類似,但具有更大的可飽和吸收、更小的帶寬和更低的飽和注量。對像噪聲這樣的弱光信號具有非常低的反射率,而對像光脈沖這樣的高功率信號具有高反射率。光脈沖使 RSAM 諧振腔內(nèi)的吸收材料飽和。由于吸收材料的恢復(fù)時間短,RSAM在反射脈沖后立即阻斷光學(xué)噪聲層。

RSAM可用于光學(xué)噪聲抑制以及光光波長轉(zhuǎn)換。

 

波長范圍

中心波長

飽和吸收率A0

弛豫時間τ

飽和通量Φsat

975 - 984nm

980nm

99%

1ps

15 µJ/cm2

1030nm

1030nm

≥99%

1ps

50 µJ/cm2

1056 - 1064

1064nm

≥99%

32ps

30 µJ/cm2

1050 - 1064

1064nm

99%

9ps

15 µJ/cm2

1550nm

1550nm

98%

10ps

15 µJ/cm2

1560nm

1560nm

95%

100ps

20 µJ/cm2

 

命名規(guī)則:RSAM-λ-τ-x

例:RSAM-980-1ps-4.0-25.0g-e

描述:共振可飽和吸收鏡,中心波長980nm,弛豫時間1ps,芯片面積4.0 mm x 4.0 mm,粘在直徑為25.0mm的鍍金銅柱邊緣。

 

 

三、可飽和吸收耦合輸出鏡SOC

可飽和吸收耦合輸出鏡SOC由一個部分反射鏡和一個可飽和吸收器組成。反射鏡和吸收體的單晶層生長在未摻雜的 GaAs 晶片上。SOC可以用于自啟動、被動鎖模二極管泵浦固態(tài)激光器。在使用 SOC 而不是 SAM 進行被動鎖模的情況下,可以通過激光腔的二向色鏡提供光泵功率。

 

中心波長

飽和吸收率A0

飽和透過率T

弛豫時間τ

1030nm

0.5%

3 %

1ps

1040nm

2% - 24%可選

0.5% - 19%可選

1ps, 15ps可選

1064nm

1% - 22%可選

0.3% - 23%可選

1, 15, 17, 20ps可選

2000nm

26%, 40%可選

19%, 20%, 28%可選

10ps

 

命名規(guī)則:SOC-λ-A-T-τ-x

例:SOC-1040-3-4-1ps- 5.0-25.4g

描述:可飽和吸收耦合輸出鏡,中心波長1040nm,飽和吸收率3%,飽和透過率4%,弛豫時間5ps,芯片面積5.0 mm x 5.0 mm,粘在直徑為 25.4 mm的鍍金銅柱上。

 

 

四、可飽和吸收體SA

 

可飽和吸收體SA 由半絕緣(透明)GaAs 晶片上的可飽和吸收層組成。SA的兩面都鍍有針對激光波長的抗反射 (AR) 涂層。SA是非線性吸收器,透射率隨著脈沖能量的增加而增加。SA的典型飽和通量高于SAM,散熱效率低于 SAM。

可飽和吸收體 (SA)可實現(xiàn)非常穩(wěn)定的自啟動、被動鎖模激光器。主要用于1030 nm - 2800 nm光纖激光器鎖模。SA也可用于環(huán)形激光器。

 

波長范圍

中心波長

飽和吸收率A0

弛豫時間τ

980 - 1040 nm

1020 nm

40 %

500fs

1000 - 1040 nm

1030 nm

34 %

3ps

1000 - 1100nm

1064nm

14 %,

28ps

1050 - 1090nm

1064nm

25 %

500fs

1000 - 1100nm

1064nm

26%

37ps

1030 - 1090nm

1064nm

40 %

500fs

1340nm

1340

22%,

20ps

1550nm

1550

6%,

20ps

1400 - 1600nm

1550nm

35 - 58%

2ps

1900 – 2100nm

2000nm

1%

10ps

1800 – 2200nm

2000nm

25%, 43%

10ps

2500 – 3000nm

2800nm

10%

10ps

 

命名規(guī)則:SA-λ-A-τ-x

例:SA-1030-34-3ps-5.0-25.4g-e

描述:可飽和吸收體,中心波長1030nm,飽和吸收率34%,弛豫時間3ps,芯片面積5.0 mm x 5.0 mm,粘在直徑為 25.4 mm的鍍金銅柱邊緣。

 

 

五、可飽和體噪聲去除腔SANOS

Free space SANOS(FS-SANOS):

 

Fiber coupled SANOS (FC-SANOS):

 

SANOS 的中心元件是一個共振振可飽和吸收鏡 (RSAM)。利用RSAM對弱的噪聲信號具有低反射率,對強的輸出光信號具有高反射率的特點起到噪聲去除的作用。SANOS有自由空間和光纖耦合兩種封裝形式。

SANOS主要用于光學(xué)噪聲抑制,例如在放大器或脈沖選擇器之后。注意其噪聲抑制只能在共振波長處進行。

 

型號

中心波長nm

弛豫時間τ

損耗dB

噪聲去除率dB

FS-SANOS-1064-9ps-1

1064nm

9ps

3dB

12dB

FS-SANOS-1064-9ps-2

1064nm

9ps

6dB

20dB

FC-SANOS-15XX-x

1530-1560nm

5ps

3dB

10dB

FC-SANOS-15XX-x-TEC

1530-1560nm

5ps

3dB

10dB

注:-1: 配備了一塊飽和吸收體,-2:配備了2塊飽和吸收體,-TEC:把飽和吸收體附在TEC制冷片上

 

 


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