詳細(xì)介紹
主要特點(diǎn)
2. 大面積均勻性高:采用了的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%;
3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)計(jì)理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;
| 真空管式爐 | 爐管尺寸: | 外徑Φ50×700mm |
| 極限溫度: | 1200℃ | |
| 溫度控制器: | PID自動(dòng)控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器 | |
| Z快升降溫速率: | 60℃ | |
| 加熱區(qū): | 230mm | |
| 恒溫區(qū): | 100mm | |
| 溫度精度: | ±1℃ | |
| 電源: | 單相220V,交流50Hz | |
|
多通道流量計(jì)控制系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)量程: | 100,200SCCM;(以氮?dú)鈽?biāo)定,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選) |
| 準(zhǔn)確度: | ±1.5% | |
| 工作壓差范圍: | 0.1~0.5 MPa | |
| Z大壓力: | 3MPa | |
| 接頭類型: | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
|
高真空系統(tǒng)
| 泵體積流量N2: | 33 L/S |
| 壓縮比: | ≥1011mbar | |
| 實(shí)驗(yàn)真空值: | ≤10-6mbar | |
| 功率消耗: | 140W | |
| 啟動(dòng)時(shí)間: | 2min | |
| 電源要求: | 185-265V AC | |
| 射頻電源 | 信號(hào)頻率: | 13.56MHz±0.005%W |
| 功率輸出范圍: | 0-100W | |
| Z大反射功率: | 10W |
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