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單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PEC

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更新時(shí)間:2024-07-23 12:08:45瀏覽次數(shù):241

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主要特點(diǎn)滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個(gè)實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象

詳細(xì)介紹


主要特點(diǎn)

滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個(gè)實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。

1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較,生長(zhǎng)溫度更低。
2.使用滑軌爐實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。
3.設(shè)備的技術(shù)使得整管輝光均勻等效,均勻生長(zhǎng)。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):
BTF-1200C-SL-PECVD
實(shí)驗(yàn)機(jī)理:
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。
技術(shù)參數(shù):
開(kāi)啟式真空管式滑軌爐
反應(yīng)腔體尺寸:Φ50,Φ60,Φ80,Φ100
加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加熱區(qū)長(zhǎng)度:440mm
恒溫區(qū)長(zhǎng)度:200mm(±1℃)
工作溫度:1100℃
Z高溫度:1200℃
控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報(bào)警功能
控溫精度:±1℃
升溫速率:10℃/min
爐門(mén)結(jié)構(gòu):開(kāi)啟式
工作電源:AC220V /50HZ
額定功率:3KW
真空泵和閥門(mén)
采用KF25系列波紋管和手動(dòng)擋板閥;
真空度可達(dá)10-3torr;
數(shù)顯真空測(cè)試儀可直觀的顯示數(shù)值。
質(zhì)量流量計(jì)控制氣路系統(tǒng)(可來(lái)圖訂制)
內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計(jì)可準(zhǔn)確的控制氣體流量;
氣體流量范圍可選,誤差為±1.5%;
一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥;
不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動(dòng)控制混合氣體輸入。
射頻電源與匹配器
電源:?jiǎn)蜗?/span>50/60Hz 220v±10%
加熱(功率)電源:2.5KW,25A
控制柜電源空氣開(kāi)關(guān):32A空氣開(kāi)關(guān)
薄膜生長(zhǎng)室溫度:室溫~ 1200℃
射頻頻率:13.56MHz
射頻功率輸出范圍:5~500W
細(xì)節(jié)展示
外型尺寸:
爐體:550×380×600mm
爐體加滑軌1500x380x620mm
供氣及真空系統(tǒng):600×600×600mm
凈重:
150Kg
認(rèn)證和
CE認(rèn)證
號(hào):ZL.0 (產(chǎn)品 ,防偽必究)


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