一、應(yīng)用領(lǐng)域：

　　該設(shè)備為高真空ITO箱式鍍膜設(shè)備，主要用于沉積AZO、GZO等系列透明導(dǎo)電膜，金屬薄膜，半導(dǎo)體薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉積。

　　1. 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ITO、AZO、GZO等系列透明導(dǎo)電膜的研究與工藝探索；

　　2. 可以完成單金屬、合金、多層膜的濺射沉積；

　　3. 可以完成氧化物、氮化物、碳化物等介質(zhì)膜的反應(yīng)濺射沉積；

　　4. 可以實(shí)現(xiàn)SiO2、Al2O3等絕緣材料的濺射沉積；

　　5. 可以進(jìn)行含有上述多層膜的功能膜研究開發(fā)；

　　二、性能參數(shù)：

　　1、雙腔室結(jié)構(gòu)（含工藝腔室及進(jìn)出樣室）；

　　2、濺射樣品尺寸約450×250mm；

　　3、磁控濺射靶四支，其中兩支為孿生靶，控制電源為兩套直流電源和一套中頻電源；

　　4、配三路氣體及相應(yīng)流量控制器；

　　5、配備軸向線性往復(fù)運(yùn)動(dòng)樣品臺(tái)；

　　6、在線膜厚檢測(cè)裝置；

　　7、加熱及溫控系統(tǒng)，保證腔室能夠加熱至500℃；