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等離子刻蝕速率
發(fā)布時間：2025-9-11什么是刻蝕
刻蝕是采用化學(xué)或物理方法有選擇地從芯片表面去除不需要材料的過程?？涛g目的：在涂膠的芯片表面上正確的復(fù)制掩膜圖形。
什么是物理干法刻蝕
目前刻蝕采用的物理方法是使用等離子刻蝕系統(tǒng)把芯片表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與芯片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或兩種反應(yīng)），從而去掉暴露的表面材料。
什么等離子刻蝕速率
等離子刻蝕速率指等離子刻蝕過程去除芯片表面不需要材料的速度。等離子刻蝕速率通常用 Å/min
表示，刻蝕速率=Å/min。刻蝕速率正比于蝕劑濃度，與芯片表面形狀等因素有關(guān)。等離子刻蝕電介質(zhì)及金屬材料的刻蝕速率
模塊化工藝處理系統(tǒng)即等離子刻蝕系統(tǒng)是為了滿足廣泛的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)域的等離子工藝處理要求而研發(fā)的多功能平臺。
盡管每個用戶的刻蝕應(yīng)用可能不一樣，不同等離子工藝應(yīng)用的基本效果如下表所示。我們致力于協(xié)助客戶獲取的等離子工藝性能。
等離子刻蝕工藝
電介質(zhì)-含氯化學(xué)
注：蝕刻速率及選擇性可以優(yōu)化，提供產(chǎn)出效率。
等離子刻蝕工藝
電介質(zhì)-含氟化學(xué)
| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均勻性 (±%) |
| Thermal SiO2 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 3% |
| PECVD SiO2 PECVD 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 5% |
| 4%PSG | Silicon | 550 | 12:1 | 5% |
| PECVD SiN3 | Oxide | 450 | 4:1 | 5% |
| LPCVD SiN3 | Oxide | 300 | 2:1 | 5% |
| Isotropic | Silicon | 250 | 10:1 | 5% |
| Single Xtal 單晶體 | n/a | 300 | (mask) 2:1 | 5% |
| TiW | Oxide | 250 | 3:1 | 5% |
| Molybdenum 鉬 | Oxide | 1000 | 15:1 | 8% |
| Polyimide 聚酰亞胺 | Aluminum | 600 | >30:1 | 5% |
| Photo-Resist 光刻膠 | Oxide | 1000 | >20:1 | 5% |
電介質(zhì)-含氯化學(xué)
| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均 勻 性 (±%) |
| Pure Aluminum 純鋁 | Thermal Oxide | 800 | 12:1 | 4% |
| Al/1-2%Si | Thermal Oxide | 600 | 8:1 | 5% |
| Al/<2%Cu | Thermal Oxide | 500 | 6:1 | 5% |
| Polysilicon | Thermal Oxide | 400 | 15:1 | 5% |
| Single Xtal | n/a | 500 | (mask) 10:1 | 5% |
| GaAs Via | n/a | 1µ/min | >10:1 | 5% |
注：蝕刻速率及選擇性可以優(yōu)化，提供產(chǎn)出效率。
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