詳細(xì)介紹
基型技術(shù)指標(biāo):
● 溫度控制:
控溫范圍:室溫上7℃~400℃(增量1℃)
控溫對象:柱箱、離子化室、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器A、進(jìn)樣器B、輔助(備用)
程升階數(shù):五階
程升速率:0.1℃~40℃/min(增量0.1℃)
● 火焰離子化檢測器(FID):
檢測限:DFID≤1×10-11g/s(樣品:C16)
測試結(jié)果:DFID≤5×10-12g/s
基線噪聲:≤5×10-14A
基線漂移:≤6×10-13A/h
線性范圍:≥106
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