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GD90輝光放電質(zhì)譜儀

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更新時(shí)間:2023-11-28 08:01:33瀏覽次數(shù):273

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產(chǎn)品簡介

GD90輝光放電質(zhì)譜儀

詳細(xì)介紹

  • GD90輝光放電質(zhì)譜儀

    Autoconcept GD90是一個(gè)專為高精度元素分析所設(shè)計(jì)的高分辨輝光放電質(zhì)譜儀。此輝光放電質(zhì)譜儀(GDMS)提供了固體金屬與緣體的直接分析檢測(cè)。它具有非常寬的元素覆蓋范圍,可得到超過70種元素的有效數(shù)據(jù),靈敏度高,輕元素重元素均可。

        GDMS技術(shù)使原子化(碎片化)過程與離子化過程分開進(jìn)行,故而可容易的對(duì)ppb至ppt級(jí)別的痕量雜質(zhì)進(jìn)行測(cè)量。此法還使得GDMS技術(shù)擁有 小的基體效應(yīng)且無須特定參照材料。它可對(duì)金屬與合金進(jìn)行全掃描分析,可對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行整體的測(cè)量分析,可對(duì)多層結(jié)構(gòu)與鍍層進(jìn)行深度剖析。是包括金屬、合金、半導(dǎo)體以及緣體(須配RF源)等高純材料的生產(chǎn)與質(zhì)量控制的理想工具。

    GD90輝光放電質(zhì)譜儀的主要特性:

    ·高分辨率,特別是對(duì)于有干擾離子存在的測(cè)定而言十分重要。

    ·廣泛的元素涵蓋范圍,軟件中包括70個(gè)元素相關(guān)的干擾離子數(shù)據(jù)。

    ·由于原子化和離子化過程發(fā)生在不同區(qū)域,帶來可忽略的基體效應(yīng)。

    ·低至亞ppb級(jí)的定量數(shù)據(jù)。

    ·具有深度剖面同位素比值分析能力。

    · 少的樣品制備過程。

    應(yīng)用領(lǐng)域:

    輝光放電質(zhì)譜儀--AUTOCONCEPT GD90              

    半導(dǎo)體:

    幾乎所有的電子、光學(xué)與光電設(shè)備都需要高純度半導(dǎo)體。此類半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)依賴于其中的雜質(zhì)成分。此類材料只有達(dá)到低的雜質(zhì)水平才能保證終端產(chǎn)品(例如微處理器與微型器件)的性能。

    GDMS有助于半導(dǎo)體的整體調(diào)查分析,可對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行定量鑒定,可達(dá)到痕量與超痕量水平。

    核能:

    在核技術(shù)與核研究中,科研人員對(duì)同位素比例進(jìn)行精準(zhǔn)的測(cè)量有著極大的興趣。被廣泛接受的方法是熱電離質(zhì)譜(TIMS)。在此方法中,樣品必須被溶解,需要在分析前對(duì)感興趣的分析物進(jìn)行化學(xué)分離。

    GDMS同樣被用于含核材料樣品的同位素鑒定。通過對(duì)比,GDMS被證明是在精準(zhǔn)度要求的前提下對(duì)B,Li以及U同位素豐度鑒定的優(yōu)勢(shì)性技術(shù)。GDMS有著減少樣品制備過程的優(yōu)勢(shì)。

              

    高純度金屬:

    在金屬與合金的大批量生產(chǎn)過程中,痕量雜質(zhì)的總量不易控制。但為了控制其力學(xué)、化學(xué)、電學(xué)與其他高級(jí)性質(zhì),受控添加痕量元素以及提純過程都是減少材料雜質(zhì)含量所需要的。

    GDMS有助于成品中雜質(zhì)的檢出與鑒定,以確保由此金屬制成的系統(tǒng)的質(zhì)量與性能。

    合金

    合金與超合金試生產(chǎn)高性能機(jī)械-例如渦輪機(jī)-的關(guān)鍵材料。由于此類機(jī)械通常在高溫高壓下運(yùn)行,即使痕量元素成分發(fā)生輕微變化都有可能導(dǎo)致災(zāi)難性后果。

    GDMS在鑒定產(chǎn)品的元素組成上非常理想,用以保證機(jī)械系統(tǒng)的 優(yōu)化性能。

    輝光放電質(zhì)譜法作為一種固體樣品的直接分析方法,被認(rèn)為是目前為止*的同時(shí)具有 廣泛的分析元素范圍和足夠靈敏度的元素分析方法,已成為固體材料多元素分析尤其是高純材料分析的強(qiáng)有力的工具。直接對(duì)固體進(jìn)行分析避免了將固體轉(zhuǎn)化成溶液時(shí)因在溶解、稀釋等過程中造成的玷污和靈敏度降低,而且該方法對(duì)樣品的分析面積大,所得數(shù)據(jù)結(jié)果有好的代表性。

    優(yōu)勢(shì)分析應(yīng)用領(lǐng)域: 

     金屬及合金材料

    包括高純金屬,濺射靶材,稀貴金屬,超級(jí)合金等材料的痕量雜質(zhì)的半定量和定量分析,同時(shí)可分析C、N、O等輕元素。 

     半導(dǎo)體材料

    包括硅片,CdTe,GaAs及其他多種高純電子材料的雜質(zhì)分析。 

     無機(jī)非金屬材料

    包括陶瓷粉末,玻璃,稀土氧化物等材料分析。 

    薄層分析,深度分布剖面分析等

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