詳細(xì)介紹
品牌:日立(Hitachi) 型號(hào):SU9000 產(chǎn)地:Japan
二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數(shù):220~8,000,000
儀器種類:場(chǎng)反射
加速電壓:0.5~30kV
日立高新超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的*半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計(jì)。
全新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
1.2nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
品牌:日立(Hitachi) 型號(hào):SU9000 產(chǎn)地:Japan
二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數(shù):220~8,000,000
儀器種類:場(chǎng)反射
加速電壓:0.5~30kV
日立高新超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的*半導(dǎo)體器件,
高分辨成像所設(shè)計(jì)。
全新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
1.2nm / 1kV(SE)
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用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
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