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JJF(皖)146-2023白光干涉輪廓儀校準(zhǔn)規(guī)范
貨號：AUBAT-146
名稱：單晶硅超光滑樣塊
校準(zhǔn)方法：
表面粗糙度（Ra）示值誤差
白光干涉輪廓儀表面粗糙度示值誤差選用單晶硅超光滑樣塊進(jìn)行校準(zhǔn)。在超光滑樣塊有效區(qū)域內(nèi)任意選取一條中心線進(jìn)行測量，按公式計(jì)算白光干涉輪廓儀表面粗糙度示值誤差。按上述方法連續(xù)重復(fù)測量 10 次，按公式計(jì)算其測量數(shù)據(jù)的平均值作為白光干涉輪廓儀表面粗糙度測量結(jié)果。
垂直（Z）方向示值誤差
垂直（Z）方向示值誤差使用白光干涉輪廓儀對微納米臺階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板的臺階高度直接測量后得出。選取微納米臺階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板的中心測量線作為臺階高度的測量位置，圖中 W 代表臺階可測寬度，以 A、B、C 三個(gè)區(qū)域?yàn)闇y量區(qū)域，選取測量臺階可測寬度的三倍進(jìn)行測量，即 A、B、C 三個(gè)區(qū)域選取均為臺階可測寬度，測量時(shí)采用相對 A、B、C 測量區(qū)域中心點(diǎn)對稱的三分之一 W 寬度作為有效計(jì)算區(qū)域。
水平（X、Y）方向示值誤差
水平（X、Y）方向示值誤差使用白光干涉輪廓儀對微納米線間隔樣板的線間隔直接測量后得出。在微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板的有效測量區(qū)域內(nèi)，選取多個(gè)周期的線間隔長度作為數(shù)據(jù)采集區(qū)。選取依據(jù)如下：
貨號：AUBAT-146
名稱：單晶硅超光滑樣塊
參數(shù)：U≦1.5nm K=2
品牌：AUBAT
廠家：奧本精密
證書：中國或者304所證書
訂制：可非標(biāo)定制
本規(guī)范適用于白光干涉輪廓儀的校準(zhǔn)。白光干涉輪廓儀主要用于樣品微納級表面粗糙度、臺階高度等表面形貌特征的測量和分析，在納米科學(xué)、材料科學(xué)等研究領(lǐng)域以及半導(dǎo)體、微電子等行業(yè)中廣泛應(yīng)用。
校準(zhǔn)方法：
表面粗糙度（Ra）示值誤差
白光干涉輪廓儀表面粗糙度示值誤差選用單晶硅超光滑樣塊進(jìn)行校準(zhǔn)。在超光滑樣塊有效區(qū)域內(nèi)任意選取一條中心線進(jìn)行測量，按公式計(jì)算白光干涉輪廓儀表面粗糙度示值誤差。按上述方法連續(xù)重復(fù)測量 10 次，按公式計(jì)算其測量數(shù)據(jù)的平均值作為白光干涉輪廓儀表面粗糙度測量結(jié)果。
垂直（Z）方向示值誤差
垂直（Z）方向示值誤差使用白光干涉輪廓儀對微納米臺階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板的臺階高度直接測量后得出。選取微納米臺階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板的中心測量線作為臺階高度的測量位置，圖中 W 代表臺階可測寬度，以 A、B、C 三個(gè)區(qū)域?yàn)闇y量區(qū)域，選取測量臺階可測寬度的三倍進(jìn)行測量，即 A、B、C 三個(gè)區(qū)域選取均為臺階可測寬度，測量時(shí)采用相對 A、B、C 測量區(qū)域中心點(diǎn)對稱的三分之一 W 寬度作為有效計(jì)算區(qū)域。
水平（X、Y）方向示值誤差
水平（X、Y）方向示值誤差使用白光干涉輪廓儀對微納米線間隔樣板的線間隔直接測量后得出。在微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板的有效測量區(qū)域內(nèi)，選取多個(gè)周期的線間隔長度作為數(shù)據(jù)采集區(qū)。選取依據(jù)如下：
對于線間隔小于 1 μm 的微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板，在微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板的有效測量區(qū)域內(nèi)選取任意 10 個(gè)線間隔的長度作為數(shù)據(jù)采集區(qū)；對于其它尺寸的微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板，可以在微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板的有效測量區(qū)域內(nèi)選取 2~10 個(gè)線間隔長度作為數(shù)據(jù)采集區(qū)。
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