詳細(xì)介紹
JJF1256-2010 X射線單晶體定向儀校準(zhǔn)規(guī)范
貨號(hào)AUBAT-1256X
校準(zhǔn)晶體
材料為 SiO2,(石英),衍射晶面為 1011 面。銅靶X射線管,特征譜線Kα輻射,衍射角為 13°20'。晶面 (1011) 與 A、B 面角度誤差 (四點(diǎn)平均值) 不超出士5",是被測(cè)量晶體晶面角度誤差的 1/3。
本校準(zhǔn)規(guī)范適用于銅靶實(shí)際焦點(diǎn) (1X4) mm X 射線管的單晶體和加單色器雙晶體X 射線定向儀的校準(zhǔn)。定向儀是對(duì)單晶體各晶面在空間相互排列角度進(jìn)行精密測(cè)定的一種檢測(cè)儀器主要由測(cè)角儀、X 射線發(fā)生器和探測(cè)放大記錄儀三部分組成。所謂雙晶體定向儀是用單晶體衍射線 (單色器) 取代狹縫透過(guò)射線的一種定向儀。
計(jì)量性能要求
1 空氣比釋動(dòng)能率
低于初始劑量的 80%,X 射線管壽命到期。
2 測(cè)角儀樣品軸轉(zhuǎn)角示值誤差
2.1 相鄰 5°樣品軸轉(zhuǎn)角示值誤差不大于 10"(**值)。
2.2 在樣品軸旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)轉(zhuǎn)角示值誤差不大于 30"(**值)。
3 綜合誤差
單晶體定向儀綜合誤差士2'
雙晶體定向儀綜合誤差士30"
4漏散射線空氣比釋動(dòng)能率
在額定工作條件下,距X 射線管焦點(diǎn) 100 mm 處,散漏射線空氣比釋動(dòng)能率≦1.74X10-3 cGy/h。
注: cGv/h 是比釋動(dòng)能率劑量單位
5測(cè)量重復(fù)性≤2%
校準(zhǔn)方法:
綜合誤差
校準(zhǔn)過(guò)程按如下步驟進(jìn)行 :
步驟一: 將定向儀調(diào)到正常工作狀態(tài),裝上 4'狹縫 (雙晶體定向儀不加狹縫)。把SiO2,(石英) 標(biāo)準(zhǔn)晶體裝在樣品架上,在額定管電壓 30 kV、管電流 1 mA 條件下,調(diào)整樣品架轉(zhuǎn)角,使微安表示值*大,調(diào)整計(jì)數(shù)率儀,使微安表的示值不小干滿刻度的 95%;起始為滿刻度 10%。設(shè)置角度示值為 13°20’(銅靶 X 射線管,SiO2,(1011)晶面 K.衍射角)。
步驟二: 在微安表上分別記錄下 I2(峰值) 和 I1 (本底) 的示值。I2 -I1=峰高值,半峰高為峰高值的一半。
步驟三: 使角度指示值恢復(fù)到 13°20 (I),順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)角儀手輪使微安表指示值下降到峰高一半,此時(shí)角度指示值。再逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)角儀手輪,使微安表的指示值再次下降到峰高的一半,此時(shí)角度指示值。計(jì)算定向儀綜合誤差。
貨號(hào)AUBAT-1256X
校準(zhǔn)晶體
材料為 SiO2,(石英),衍射晶面為 1011 面。銅靶X射線管,特征譜線Kα輻射,衍射角為 13°20'。晶面 (1011) 與 A、B 面角度誤差 (四點(diǎn)平均值) 不超出士5",是被測(cè)量晶體晶面角度誤差的 1/3。
本校準(zhǔn)規(guī)范適用于銅靶實(shí)際焦點(diǎn) (1X4) mm X 射線管的單晶體和加單色器雙晶體X 射線定向儀的校準(zhǔn)。定向儀是對(duì)單晶體各晶面在空間相互排列角度進(jìn)行精密測(cè)定的一種檢測(cè)儀器主要由測(cè)角儀、X 射線發(fā)生器和探測(cè)放大記錄儀三部分組成。所謂雙晶體定向儀是用單晶體衍射線 (單色器) 取代狹縫透過(guò)射線的一種定向儀。
計(jì)量性能要求
1 空氣比釋動(dòng)能率
低于初始劑量的 80%,X 射線管壽命到期。
2 測(cè)角儀樣品軸轉(zhuǎn)角示值誤差
2.1 相鄰 5°樣品軸轉(zhuǎn)角示值誤差不大于 10"(**值)。
2.2 在樣品軸旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)轉(zhuǎn)角示值誤差不大于 30"(**值)。
3 綜合誤差
單晶體定向儀綜合誤差士2'
雙晶體定向儀綜合誤差士30"
4漏散射線空氣比釋動(dòng)能率
在額定工作條件下,距X 射線管焦點(diǎn) 100 mm 處,散漏射線空氣比釋動(dòng)能率≦1.74X10-3 cGy/h。
注: cGv/h 是比釋動(dòng)能率劑量單位
5測(cè)量重復(fù)性≤2%
校準(zhǔn)方法:
綜合誤差
校準(zhǔn)過(guò)程按如下步驟進(jìn)行 :
步驟一: 將定向儀調(diào)到正常工作狀態(tài),裝上 4'狹縫 (雙晶體定向儀不加狹縫)。把SiO2,(石英) 標(biāo)準(zhǔn)晶體裝在樣品架上,在額定管電壓 30 kV、管電流 1 mA 條件下,調(diào)整樣品架轉(zhuǎn)角,使微安表示值*大,調(diào)整計(jì)數(shù)率儀,使微安表的示值不小干滿刻度的 95%;起始為滿刻度 10%。設(shè)置角度示值為 13°20’(銅靶 X 射線管,SiO2,(1011)晶面 K.衍射角)。
步驟二: 在微安表上分別記錄下 I2(峰值) 和 I1 (本底) 的示值。I2 -I1=峰高值,半峰高為峰高值的一半。
步驟三: 使角度指示值恢復(fù)到 13°20 (I),順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)角儀手輪使微安表指示值下降到峰高一半,此時(shí)角度指示值。再逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)角儀手輪,使微安表的指示值再次下降到峰高的一半,此時(shí)角度指示值。計(jì)算定向儀綜合誤差。
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