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詳細介紹
F-JTDG1110晶體的電光效應
- 觀察會聚偏振光經(jīng)過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別。
- 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)，理解泡克耳斯效應的作用機理。
- 測量半波電壓，確定Δn與E的線性關系，繪出光的調(diào)制曲線。
- 用正弦電信號對晶體進行調(diào)制，實現(xiàn)電信號的光傳輸，理解工作點對調(diào)制、傳輸過程的影響。
- 外加音頻信號，實驗音頻信號的光傳輸以重現(xiàn)，了解光通訊中信號外調(diào)制的原理和方法。
- 光學實驗導軌：800mm。
- 實驗主機驅(qū)動電壓：Vmax≥1600V
- 半導體激光器：650nm, 4mW。
- LN晶體附件：三維可調(diào)，通光面積：5*5mm2。
- 二維可調(diào)光電二極管探頭：調(diào)整范圍:±2.5mm.
- 二維可調(diào)擴束鏡：25倍，調(diào)制范圍：±2.5mm.
- 激光功率指示計：三位半數(shù)字表頭，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可調(diào)檔。最小分辨率0.1u W。
- 采用半導體激光器作為光源（650nm4mW）。
- 晶體的通光面積為5×5mm2
- 驅(qū)動電壓Vmax≥1600V使現(xiàn)象更加清晰、完整。
- 可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。
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