真空高溫烘箱的必要性：
在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯(lián)劑的作用。

真空高溫烘箱一般工作流程：
首先確定工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達到某一高真空度后，開始充人氮氣，充到達到某低真空度后，冉次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數(shù)后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。
尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。

真空高溫烘箱特點：
美觀耐用性：內(nèi)采用SUS不銹鋼，外采用A3鋼板，噴塑處理；       
使用安全性：加厚的保溫層，良好的保溫性能，隔熱、節(jié)能；     
控制穩(wěn)定性：智能微電腦控制儀表，數(shù)字顯示，控溫精度高、準確；      
高性能：巧妙的風道設計，溫度均勻度高；    
實用性：強力門扣加特制的密封材質(zhì)，確保箱內(nèi)密封效果優(yōu)良；     
可靠性：*的安全保護裝置，適合長期連續(xù)運行。

真空高溫烘箱箱體結構：
1)本設備由室體、真空系統(tǒng)、保護系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)等組成
2)箱體采用*的機械設備制作、工藝*、線條流暢，美觀大方
3)內(nèi)箱材質(zhì)為3mm厚優(yōu)質(zhì)不銹鋼拉絲板經(jīng)拋光處理，加強脛進行加固。外箱材質(zhì)為1.2mm厚優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板經(jīng)表面特殊處理后靜電噴涂而成。
4)門與門框之間采用高性能密封材料及的硅橡膠密封結構，密封、抗老化性好。
5)箱內(nèi)設有不銹鋼活動樣品架，可拆卸易清洗。