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碳化硅單晶研究顯微鏡PZ-THG常用的主要是偏光顯微鏡和體視顯微鏡。偏光顯微鏡可用于碳化硅單晶缺陷顯微分析。體視顯微鏡可觀察升華法生長的 SiC 單晶 ，在樣品腐蝕前后所觀察到的微管數(shù)目也可顯微觀察碳化硅單晶宏觀缺陷。
詳細介紹
產(chǎn)品概述
規(guī)格參數(shù)
| 序號 | 產(chǎn)品名稱/型號 | 技術參數(shù) |
| 1 | 體視顯微鏡/XT-13C | 放大倍數(shù)：8.0X-80X 用于觀察微管數(shù)目及宏觀缺陷 |
| 2 | 偏光顯微鏡/XP-63C | 放大倍數(shù)：40X-600X 用于碳化硅單晶微管缺陷顯微分析 |
| 3 | 高清數(shù)字攝像頭/PZ-800M3G | 800萬像素 具有二維測量功能 |
| 選配儀器 | ||
| 1 | 自動精密切割機 | 切割速度0.1-5mm/s精確可調，切割精度可達0.01mm |
| 2 | 自動精密研磨拋光機 | 研磨拋光≤Ø142mm的圓片或對角線長≤142mm的矩形平面 平面度：每20mm×20mm小于0.002mm |
| 3 | 切割拋光輔料 | |
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