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BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 試驗(yàn)箱

BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試，bHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試（Bias Highly Accelerated Stress Test）bHAST測(cè)試為帶電的高溫高濕條件下的可靠性（參考與執(zhí)行試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A110）。該測(cè)試的目的就是為了讓器件加速腐蝕，看芯片的工作狀態(tài)。施加電壓的原則如下：測(cè)試芯片所有供電要接上，處于工作狀態(tài)下的最小功耗。

BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 試驗(yàn)箱

測(cè)試時(shí)間

通常會(huì)去做130攝氏度的測(cè)試，時(shí)間比較快，測(cè)試結(jié)果也可以得到認(rèn)可。芯片測(cè)試數(shù)量為：（3個(gè)Lot，每個(gè)lot最少25顆）

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帶電壓拉偏 ，遵循得原則：

（1） 所有電源上電，電壓：推薦操作范圍電壓（Maximum Recommended Operating Conditions）
（2） 芯片、材料功耗最?。〝?shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法）

（3） 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。
（4） 其他管腳，如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低