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P858-TST單晶硅壓力變送器/直裝式單法蘭隔膜系統(tǒng) 差壓變送器

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產品簡介

簡介:單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠離介質接觸面,實現(xiàn)機械隔離和熱隔離,玻璃燒結一體的傳感器引線與金屬基體的高強度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力,可應對復雜的化學場合和機械負荷,同時具備較強的抗電磁*力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力或液位測量應用

詳細介紹

簡介:

單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠離介質接觸面,實現(xiàn)機械隔離和熱隔離,玻璃燒結一體的傳感器引線與金屬基體的高強度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力,可應對復雜的化學場合和機械負荷,同時具備較強的抗電磁*力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力或液位測量應用。

優(yōu)勢:

單晶硅技術壓力傳感器

雙膜片過載防護結構

集成電路與表面封裝技術的信號變送模塊

顯示模塊可355°旋轉

殼體外隔離磁感應三按鍵參數(shù)設置

耐瞬變電壓保護端子模塊

特征:

測量范圍: 4kPa-10MPa

輸出信號: 4-20mA, 4~20mA/HART

參考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL

介質溫度: -40-120℃

測量介質:液體、氣體或蒸汽

防護等級: IP67

電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc

膜片材質: SS316L,哈氏合金 C

年穩(wěn)定性: ±0.2% URL/5年

過程連接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10

認證: CE, CMC, 防爆認證


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