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純化水設(shè)備

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EDI純水設(shè)備是將電滲析和離子交換結(jié)合在一起的新型海水淡化工藝設(shè)備

詳細(xì)介紹

EDI純水設(shè)備是將電滲析和離子交換結(jié)合在一起的新型海水淡化工藝設(shè)備。


EDI純水設(shè)備介紹


EDI是一種結(jié)合電滲析和離子交換的新型脫鹽工藝。該技術(shù)使用電再生離子交換淡化工藝來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的混合離子交換淡化工藝DI。通過(guò)離子交換樹(shù)脂和選擇性離子膜實(shí)現(xiàn)高脫鹽效果,結(jié)合反滲透組合工藝,使水質(zhì)達(dá)到10?15MΩ的高脫鹽效果。 EDI采用標(biāo)準(zhǔn)組件設(shè)計(jì),并且可以根據(jù)要求組合到不同的規(guī)范系統(tǒng)中。


EDI純水設(shè)備的工作原理


EDI(電去離子)是一種純水制造技術(shù),結(jié)合了離子交換技術(shù),離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)。它巧妙地結(jié)合了電滲析和離子交換技術(shù),利用兩端的高壓電極使水中的帶電離子運(yùn)動(dòng),并與離子交換樹(shù)脂和選擇性樹(shù)脂膜配合,加速離子的運(yùn)動(dòng)和去除,從而實(shí)現(xiàn)了離子交換的目的。凈水的目的。在EDI脫鹽過(guò)程中,離子在電場(chǎng)的作用下通過(guò)離子交換膜去除。同時(shí),水分子在電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生氫離子和氫氧根離子,這些離子不斷地再生離子交換樹(shù)脂,以使離子交換樹(shù)脂保持狀態(tài)。


EDI膜堆疊由夾在兩個(gè)電極之間的一定數(shù)量的單元組成。每個(gè)單元中有兩種不同類(lèi)型的腔室:要脫鹽的淡水腔室和用于收集去除的雜質(zhì)離子的濃縮水腔室。淡水室中充滿(mǎn)了混合的陽(yáng)離子和陰離子交換樹(shù)脂。這些樹(shù)脂位于兩個(gè)膜之間:僅允許陽(yáng)離子通過(guò)的陽(yáng)離子交換膜和僅允許陰離子通過(guò)的陰離子交換膜。


通過(guò)施加到腔室兩端的直流電,樹(shù)脂床不斷再生。電壓將進(jìn)入水中的水分子分解為H +和OH-。水中的這些離子被相應(yīng)的電極吸引,并通過(guò)陽(yáng)離子和陰離子交換樹(shù)脂到達(dá)相應(yīng)的膜。當(dāng)這些離子通過(guò)交換膜進(jìn)入濃縮室時(shí),H +和OH-結(jié)合形成水。這種H +和OH-的產(chǎn)生和遷移是樹(shù)脂可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)再生的機(jī)制。當(dāng)流入水中的諸如Na +和CI-的雜質(zhì)離子被相應(yīng)的離子交換樹(shù)脂吸收時(shí),這些雜質(zhì)離子將進(jìn)行與普通混合床相同的離子交換反應(yīng),并相應(yīng)地替代H +和OH-。一旦將離子交換樹(shù)脂中的雜質(zhì)離子也添加到H +和OH-向交換膜的遷移中,這些離子將連續(xù)穿過(guò)樹(shù)脂,直到它們穿透交換膜并進(jìn)入濃縮水室。由于相鄰隔室交換膜的阻擋作用,這些雜質(zhì)離子不能進(jìn)一步向相應(yīng)電極的方向遷移,因此雜質(zhì)離子可以在濃縮水室中濃縮,然后可以從其中排放出含有雜質(zhì)離子的濃縮水。膜堆。


幾十年來(lái),純水的制備一直以消耗大量的酸和堿為代價(jià)。在酸,堿的生產(chǎn),運(yùn)輸,儲(chǔ)存和使用過(guò)程中,不可避免地給環(huán)境帶來(lái)污染,設(shè)備腐蝕,并可能對(duì)人體造成傷害。傷害和維護(hù)成本仍然很高。反滲透和電脫鹽的廣泛應(yīng)用將為純凈水的生產(chǎn)帶來(lái)工業(yè)革命。


EDI設(shè)備將離子交換樹(shù)脂夾在陰離子/陽(yáng)離子交換膜之間,以形成EDI單元。在EDI模塊中,一定數(shù)量的EDI單元由柵格板隔開(kāi),以形成濃縮水腔和淡水腔。陰極/陽(yáng)極電極設(shè)置在單元組的兩端。在直流電的驅(qū)動(dòng)下,流經(jīng)淡水室的水中的陰離子和陽(yáng)離子分別穿過(guò)陰離子和陽(yáng)離子交換膜進(jìn)入濃縮水室,并在淡水室中被去除。通過(guò)濃縮水室的水將離子帶出系統(tǒng),成為濃縮水。 EDI設(shè)備通常使用二次反滲透(RO)純水作為EDI進(jìn)水。 RO純水的電阻率通常為40-2μS/ cm(25°C)。 EDI純水的電阻率可高達(dá)18MΩ

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