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詳細介紹
PlasmaQuant MS ICP-MS ：
(1)節(jié)省消耗的等離子體：獲得穩(wěn)定強勁的等離子體所消耗氬氣量僅為常規(guī)儀器的一半；
(2)的iCRC集成式碰撞反應(yīng)池：有效去除多原子分子干擾，不損失其它干擾元素靈敏度的前提下獲得更好的碰撞反應(yīng)效果；氣體切換快速，無需額外維護；
(3)ReflexION離子反射技術(shù)：3D聚焦離子反射鏡獲得一定的靈敏度，其靈敏度達到同類產(chǎn)品的5倍以上；
(4)高解析四極桿：3MHz的掃描速度，可獲得好的質(zhì)譜分離；檢測駐留時間低至50μs；
(5)全數(shù)字脈沖技術(shù)檢測器：ICP-MS領(lǐng)域中的全數(shù)字檢測器，線性范圍達10個數(shù)量級，無需頻繁的脈沖和模擬雙模式交叉校準，無需稀釋即可進行痕量到常量的元素分析，使用壽命超長；
這些技術(shù)的采用讓PlasmaQuant MS 在靈敏度、線性范圍、檢出限、穩(wěn)定性等方面上一個新臺階。其還可配備潔凈室組件、樣品導(dǎo)入系統(tǒng)、自動進樣器等配件，可靈活、快速實現(xiàn)普通靈敏度模式和高靈敏度模式之間的切換，滿足日常分析和研究級的各種應(yīng)用。
(1)節(jié)省消耗的等離子體：獲得穩(wěn)定強勁的等離子體所消耗氬氣量僅為常規(guī)儀器的一半；
(2)的iCRC集成式碰撞反應(yīng)池：有效去除多原子分子干擾，不損失其它干擾元素靈敏度的前提下獲得更好的碰撞反應(yīng)效果；氣體切換快速，無需額外維護；
(3)ReflexION離子反射技術(shù)：3D聚焦離子反射鏡獲得一定的靈敏度，其靈敏度達到同類產(chǎn)品的5倍以上；
(4)高解析四極桿：3MHz的掃描速度，可獲得好的質(zhì)譜分離；檢測駐留時間低至50μs；
(5)全數(shù)字脈沖技術(shù)檢測器：ICP-MS領(lǐng)域中的全數(shù)字檢測器，線性范圍達10個數(shù)量級，無需頻繁的脈沖和模擬雙模式交叉校準，無需稀釋即可進行痕量到常量的元素分析，使用壽命超長；
這些技術(shù)的采用讓PlasmaQuant MS 在靈敏度、線性范圍、檢出限、穩(wěn)定性等方面上一個新臺階。其還可配備潔凈室組件、樣品導(dǎo)入系統(tǒng)、自動進樣器等配件，可靈活、快速實現(xiàn)普通靈敏度模式和高靈敏度模式之間的切換，滿足日常分析和研究級的各種應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù)：
靈敏度 | 1.5千兆計數(shù)/ppm |
碰撞反應(yīng)技術(shù) (CRI II) | 氦氣或氫氣模式 |
ECO等離子體 | 性能*，一半氬氣耗量，最小7 L/min |
碰撞反應(yīng)池 | iCRC，無干擾的分析以及BOOST技術(shù) |
離子技術(shù) | ReflexION：3D聚焦離子鏡，獲得超高靈敏度 |
HD四極桿質(zhì)量分析器 | 3MHz四極桿，超高的質(zhì)量分離能力； 檢測駐留時間：50μs |
檢測系統(tǒng) | ADD10：全數(shù)字脈沖計數(shù)模式檢測系統(tǒng)； 線性動態(tài)范圍：10個數(shù)量級 |
靈敏度（M cps/mg/L） | 7Li: ≥150； 115In：≥1500； 232Th：≥1000 |
PlasmaQuant®MS | 頻度：27.12 MHz； 90度離子偏轉(zhuǎn)透鏡和雙離軸四極桿 |
靈敏度 | 1.5 GHz/ppm |
同位素/核素 | 9Be > 5 x 108 cps/mg/L |
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