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詳細(xì)介紹
純化水處理工藝的發(fā)展
傳統(tǒng)處理工藝工藝流程：原水預(yù)處理→陽/陰床→混床→純水 技術(shù)特點(diǎn)：消耗大量酸堿，污染環(huán)境 |
現(xiàn)代處理工藝工藝流程：原水預(yù)處理→反滲透→混床→純水 技術(shù)特點(diǎn)：消耗酸堿，任污染環(huán)境 |
全新處理工藝工藝流程：原水預(yù)處理→反滲透→EDI→純水 技術(shù)特點(diǎn)：無需酸堿，保護(hù)環(huán)境 |
CDI與混床的區(qū)別
CDI | 混床 |
無需酸堿再生 | 需要酸堿再生 |
*，無廢水排放 | 需清洗，有廢水排放 |
連續(xù)運(yùn)行，水質(zhì)穩(wěn)定 | 需要停機(jī)再生，交換終端離子容易泄露 |
采用模塊化設(shè)計(jì)，容易擴(kuò)展 | 不能滿足用戶未來的擴(kuò)展要求 |
占用空間小 | 占用空間大 |
預(yù)處理工藝特點(diǎn) CDI技術(shù)替代混床技術(shù)，對進(jìn)水要求非常嚴(yán)格。預(yù)處理工藝復(fù)雜，原水進(jìn)入CDI系統(tǒng)之前，為了防止污染樹脂和膜，以及膜面結(jié)構(gòu)，保護(hù)膜性能，應(yīng)先經(jīng)過過濾、吸附、軟化、脫氣等處理
| 軟化 在RO-CDI系統(tǒng)中使用陰垢劑會使透過RO膜的硬度增加，從而進(jìn)入CDI系統(tǒng)中，為了使CDI清洗頻率較小，CDI進(jìn)水硬度應(yīng)該較小。 |
脫氣 為了得到高電阻率高質(zhì)量的純水，進(jìn)水中的氣體也要出去，其中主要的是除去二氧化碳，低含量的二氧化碳可以使CDI膜塊更有效的去除二氧化硅。脫氣單元應(yīng)該至于RO之后。 |
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